双镶嵌结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910201178.1

申请日：

2009-12-15

公开(公告)号：

CN102097361A

公开(公告)日：

2011-06-15

发明(设计)人：

田彬安辉

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-15	公开	公开
2013-02-13	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101515200880 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2009102011781 变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20130111
2013-09-11	授权	授权
2011-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101096116208 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2009102011781 申请日:20091215
2020-11-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20091215 授权公告日:20130911 终止日期:20191215

共 50 条

[1]

一种双镶嵌结构的形成方法 [P].

周军 ;

傅昶 .

中国专利 :CN102427060A ,2012-04-25

[2]

双镶嵌结构的形成方法 [P].

李敏 .

中国专利 :CN102856248A ,2013-01-02

[3]

双镶嵌结构的形成方法 [P].

范瑾巍 ;

赵永红 ;

高俊涛 ;

王向东 .

中国专利 :CN101154623A ,2008-04-02

[4]

双镶嵌结构的形成方法 [P].

王向东 ;

赵永红 ;

高俊涛 .

中国专利 :CN101154622A ,2008-04-02

[5]

双镶嵌结构的形成方法、半导体结构 [P].

王琪 ;

周鸣 .

中国专利 :CN102054762A ,2011-05-11

[6]

双镶嵌结构的形成方法、半导体结构 [P].

王琪 .

中国专利 :CN102054761A ,2011-05-11

[7]

双镶嵌结构的结构和形成方法 [P].

彭泰彥 ;

谢志宏 .

中国专利 :CN105374772B ,2016-03-02

[8]

一种双镶嵌结构的形成方法 [P].

韩宝东 ;

张海洋 ;

孙武 .

中国专利 :CN102222639B ,2011-10-19

[9]

双镶嵌结构及其形成方法、半导体器件 [P].

张海洋 ;

周俊卿 .

中国专利 :CN102760688A ,2012-10-31

[10]

形成双镶嵌结构的方法 [P].

何其旸 ;

张翼英 .

中国专利 :CN102800623A ,2012-11-28

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