形成双镶嵌结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110139488.2

申请日：

2011-05-26

公开(公告)号：

CN102800623A

公开(公告)日：

2012-11-28

发明(设计)人：

何其旸张翼英

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

G03F700

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101716494266 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2011101394882 申请公布日:20121128
2013-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101383324167 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2011101394882 申请日:20110526
2012-11-28	公开	公开

共 50 条

[1]

形成双镶嵌结构的方法 [P].

张海洋 ;

王冬江 .

中国专利 :CN103377996B ,2013-10-30

[2]

形成双镶嵌结构的方法 [P].

李世达 .

中国专利 :CN1279603C ,2004-02-18

[3]

一种形成双镶嵌结构的方法 [P].

周俊卿 ;

胡敏达 ;

王冬江 .

中国专利 :CN103594416A ,2014-02-19

[4]

用于形成双镶嵌互连结构的方法 [P].

许健 ;

肖亮 ;

董金文 ;

严孟 ;

肖莉红 .

中国专利 :CN109804463A ,2019-05-24

[5]

双镶嵌结构的形成方法 [P].

李敏 .

中国专利 :CN102856248A ,2013-01-02

[6]

双镶嵌结构的形成方法 [P].

王向东 ;

赵永红 ;

高俊涛 .

中国专利 :CN101154622A ,2008-04-02

[7]

双镶嵌结构的形成方法 [P].

范瑾巍 ;

赵永红 ;

高俊涛 ;

王向东 .

中国专利 :CN101154623A ,2008-04-02

[8]

双镶嵌结构及其形成方法、半导体器件 [P].

张海洋 ;

周俊卿 .

中国专利 :CN102760688A ,2012-10-31

[9]

双镶嵌结构的形成方法 [P].

宁先捷 .

中国专利 :CN101055421A ,2007-10-17

[10]

双镶嵌结构的形成方法 [P].

宁先捷 .

中国专利 :CN100576499C ,2008-11-26

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