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形成双镶嵌结构的方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN02128694.9
申请日：
2002-08-12
公开(公告)号：
CN1279603C
公开(公告)日：
2004-02-18
发明(设计)人：
李世达
申请人：
申请人地址：
台湾省新竹科学园区
IPC主分类号：
H01L21768
IPC分类号：
代理机构：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人：
刘朝华
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2004-02-18 | 公开 | 公开 |
| 2006-10-11 | 授权 | 授权 |
| 2005-05-11 | 专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 | 专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更事项:申请人 变更前权利人:矽统科技股份有限公司 变更后权利人:联华电子股份有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:台湾省新竹科学园区 变更后权利人:台湾省新竹科学园区 登记生效日:20050408 |
| 2004-04-28 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |