利用原位低温氧化减少多晶硅栅中磷扩散的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810043953.0

申请日：

2008-11-20

公开(公告)号：

CN101740364A

公开(公告)日：

2010-06-16

发明(设计)人：

杨欣孙勤

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

顾继光

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-04-04	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101315322230 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2008100439530 公开日:20100616
2010-06-16	公开	公开
2010-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2008100439530 申请日:20081120 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005265386

共 50 条

[1]

利用快速热氧化减少多晶硅栅中磷扩散的方法 [P].

杨欣 ;

孙勤 .

中国专利 :CN101740363A ,2010-06-16

[2]

一种采用多晶硅栅低温氧化的VDMOS工艺 [P].

鄢细根 ;

黄种德 .

中国专利 :CN114496758A ,2022-05-13

[3]

刻蚀沟槽多晶硅栅的方法 [P].

金勤海 ;

周颖 ;

康志潇 .

中国专利 :CN103094087B ,2013-05-08

[4]

多晶硅栅极的制造方法 [P].

王卉 ;

陈广龙 ;

李志国 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN118919405A ,2024-11-08

[5]

多晶硅栅的沉积方法 [P].

孙建军 ;

翟立君 ;

孙博 ;

冯永波 ;

赵星 .

中国专利 :CN102044425A ,2011-05-04

[6]

多晶硅栅的制造方法 [P].

沈冬冬 ;

陆涵蔚 .

中国专利 :CN109103086B ,2018-12-28

[7]

多晶硅栅极的形成方法 [P].

樊杨 ;

肖莉 ;

孟增 .

中国专利 :CN103377901A ,2013-10-30

[8]

检测多晶硅栅极氧化层缺失的方法 [P].

范荣伟 ;

陈宏璘 ;

龙吟 ;

顾晓芳 .

中国专利 :CN104217973B ,2014-12-17

[9]

打开多晶硅栅极的方法 [P].

林宏 .

中国专利 :CN103928310B ,2014-07-16

[10]

沟槽多晶硅栅的制造方法 [P].

汪莹萍 ;

石磊 ;

缪进征 .

中国专利 :CN104465350A ,2015-03-25

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