具有光提取结构的半导体发光器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200880121356.3
申请日
2008-12-18
公开(公告)号
CN101904019B
公开(公告)日
2010-12-01
发明(设计)人
A·J·F·戴维 H·K-H·蔡 J·J·韦勒
申请人
申请人地址
荷兰艾恩德霍芬
IPC主分类号
H01L3300
IPC分类号
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
谢建云;谭祐祥
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体发光器件和具有半导体发光器件的半导体发光设备 [P]. 
沈载仁 ;
宋尚烨 ;
河宗勋 ;
金起范 ;
崔丞佑 .
中国专利 :CN105633257B ,2016-06-01
[2]
半导体发光器件光学封装结构 [P]. 
张汝志 ;
梁秉文 .
中国专利 :CN104124326B ,2014-10-29
[3]
密封的半导体发光器件 [P]. 
雷继谱 ;
S.施亚夫菲诺 ;
A.H.尼克 .
中国专利 :CN109994586B ,2019-07-09
[4]
密封的半导体发光器件 [P]. 
J.雷 ;
S.施亚夫菲诺 ;
A.H.尼克 .
中国专利 :CN104205366B ,2014-12-10
[5]
具有厚金属层的半导体发光器件 [P]. 
S.施亚夫菲诺 ;
A.H.尼克伊尔 ;
J.勒 .
中国专利 :CN111509116A ,2020-08-07
[6]
具有厚金属层的半导体发光器件 [P]. 
S.施亚夫菲诺 ;
A.H.尼克伊尔 ;
J.勒 .
中国专利 :CN103959486A ,2014-07-30
[7]
半导体发光器件及具有该半导体发光器件的发光器件封装 [P]. 
朴炯兆 .
中国专利 :CN101771125A ,2010-07-07
[8]
半导体发光器件和形成半导体发光器件的方法 [P]. 
J.E.埃普勒 .
中国专利 :CN102473807B ,2012-05-23
[9]
半导体发光器件及半导体发光器件封装结构 [P]. 
覃国恒 ;
周业颖 ;
黄德冰 .
中国专利 :CN218333842U ,2023-01-17
[10]
半导体发光器件 [P]. 
朴炯兆 .
中国专利 :CN102751405A ,2012-10-24