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晶硅切割废料一步法连续制备多晶硅的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202111341597.2
申请日
:
2021-11-12
公开(公告)号
:
CN114045554A
公开(公告)日
:
2022-02-15
发明(设计)人
:
吉红旗
周济
申请人
:
申请人地址
:
710201 陕西省西安市经济技术开发区泾渭新城渭华路北段12号
IPC主分类号
:
C30B2806
IPC分类号
:
C30B2906
代理机构
:
西安弘理专利事务所 61214
代理人
:
涂秀清
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-03-04
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 28/06 申请日:20211112
2022-02-15
公开
公开
共 50 条
[21]
制备多晶硅的方法
[P].
廖燕平
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廖燕平
;
邵喜斌
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邵喜斌
;
付国柱
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付国柱
;
荆海
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荆海
;
郜峰利
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郜峰利
;
缪国庆
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缪国庆
.
中国专利
:CN1545143A
,2004-11-10
[22]
制备多晶硅的方法
[P].
万烨
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万烨
;
张升学
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张升学
;
严大洲
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严大洲
;
毋克力
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毋克力
;
肖荣辉
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肖荣辉
;
汤传斌
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汤传斌
;
杨永亮
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杨永亮
.
中国专利
:CN103482630B
,2014-01-01
[23]
制备多晶硅的方法
[P].
姜利霞
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姜利霞
;
严大洲
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严大洲
;
杨永亮
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杨永亮
;
肖荣晖
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肖荣晖
;
汤传斌
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汤传斌
.
中国专利
:CN103950933B
,2014-07-30
[24]
一种多晶硅的晶化方法、晶化设备及多晶硅
[P].
班圣光
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班圣光
.
中国专利
:CN107119329A
,2017-09-01
[25]
制备多晶硅的方法
[P].
K·黑塞
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K·黑塞
;
E·多恩贝格尔
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E·多恩贝格尔
;
C·赖曼
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C·赖曼
.
中国专利
:CN107208308A
,2017-09-26
[26]
多晶硅的制备
[P].
弗朗茨·雨果
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弗朗茨·雨果
;
莱尔·C·温特顿
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莱尔·C·温特顿
.
中国专利
:CN101218175A
,2008-07-09
[27]
多晶硅的切割装置
[P].
张亚剑
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张亚剑
.
中国专利
:CN203527670U
,2014-04-09
[28]
低温多晶硅薄膜的制备方法、制备设备及低温多晶硅薄膜
[P].
张隆贤
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张隆贤
;
余威
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余威
.
中国专利
:CN104404617A
,2015-03-11
[29]
多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块
[P].
宫尾秀一
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宫尾秀一
;
冈田淳一
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冈田淳一
;
祢津茂义
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祢津茂义
.
中国专利
:CN106414325A
,2017-02-15
[30]
多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块
[P].
宫尾秀一
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宫尾秀一
;
冈田淳一
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冈田淳一
;
祢津茂义
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祢津茂义
.
中国专利
:CN110482555A
,2019-11-22
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