晶硅切割废料一步法连续制备多晶硅的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111341597.2
申请日
2021-11-12
公开(公告)号
CN114045554A
公开(公告)日
2022-02-15
发明(设计)人
吉红旗 周济
申请人
申请人地址
710201 陕西省西安市经济技术开发区泾渭新城渭华路北段12号
IPC主分类号
C30B2806
IPC分类号
C30B2906
代理机构
西安弘理专利事务所 61214
代理人
涂秀清
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[21]
制备多晶硅的方法 [P]. 
廖燕平 ;
邵喜斌 ;
付国柱 ;
荆海 ;
郜峰利 ;
缪国庆 .
中国专利 :CN1545143A ,2004-11-10
[22]
制备多晶硅的方法 [P]. 
万烨 ;
张升学 ;
严大洲 ;
毋克力 ;
肖荣辉 ;
汤传斌 ;
杨永亮 .
中国专利 :CN103482630B ,2014-01-01
[23]
制备多晶硅的方法 [P]. 
姜利霞 ;
严大洲 ;
杨永亮 ;
肖荣晖 ;
汤传斌 .
中国专利 :CN103950933B ,2014-07-30
[24]
一种多晶硅的晶化方法、晶化设备及多晶硅 [P]. 
班圣光 .
中国专利 :CN107119329A ,2017-09-01
[25]
制备多晶硅的方法 [P]. 
K·黑塞 ;
E·多恩贝格尔 ;
C·赖曼 .
中国专利 :CN107208308A ,2017-09-26
[26]
多晶硅的制备 [P]. 
弗朗茨·雨果 ;
莱尔·C·温特顿 .
中国专利 :CN101218175A ,2008-07-09
[27]
多晶硅的切割装置 [P]. 
张亚剑 .
中国专利 :CN203527670U ,2014-04-09
[28]
低温多晶硅薄膜的制备方法、制备设备及低温多晶硅薄膜 [P]. 
张隆贤 ;
余威 .
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[29]
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宫尾秀一 ;
冈田淳一 ;
祢津茂义 .
中国专利 :CN106414325A ,2017-02-15
[30]
多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块 [P]. 
宫尾秀一 ;
冈田淳一 ;
祢津茂义 .
中国专利 :CN110482555A ,2019-11-22