晶硅切割废料一步法连续制备多晶硅的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111341597.2

申请日：

2021-11-12

公开(公告)号：

CN114045554A

公开(公告)日：

2022-02-15

发明(设计)人：

吉红旗周济

申请人：

申请人地址：

710201 陕西省西安市经济技术开发区泾渭新城渭华路北段12号

IPC主分类号：

C30B2806

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

西安弘理专利事务所 61214

代理人：

涂秀清

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 28/06 申请日:20211112
2022-02-15	公开	公开

共 50 条

[41]

多晶硅晶棒的制造方法 [P].

木村义道 ;

酒井勇一 .

中国专利 :CN101061065B ,2007-10-24

[42]

GCL法多晶硅生产方法 [P].

蒋文武 ;

崔树玉 ;

蒋立民 ;

李力 ;

钟真武 .

中国专利 :CN102180467A ,2011-09-14

[43]

多晶硅制造用反应炉、多晶硅制造装置、多晶硅的制造方法、以及多晶硅棒或多晶硅块 [P].

祢津茂义 ;

星野成大 ;

冈田哲郎 ;

齐藤弘 .

中国专利 :CN111153407A ,2020-05-15

[44]

一种金刚线切割多晶硅废料成型干燥法 [P].

卢辉 ;

黄柳青 ;

盛旺 ;

朱学辉 ;

罗学涛 ;

盛之林 ;

王晨曦 ;

杨少林 .

中国专利 :CN111646477A ,2020-09-11

[45]

一种回收硅切削废料制备太阳能级多晶硅的方法 [P].

杨振国 ;

杨超 ;

顾云松 ;

俞宏坤 ;

孙江燕 .

中国专利 :CN102815704A ,2012-12-12

[46]

多晶硅制造用反应炉、多晶硅制造装置、多晶硅的制造方法、以及多晶硅棒或多晶硅块 [P].

祢津茂义 ;

星野成大 ;

冈田哲郎 ;

齐藤弘 .

中国专利 :CN106573784B ,2017-04-19

[47]

一种处理多晶硅和单晶硅废料的方法 [P].

董满贵 ;

赖佳兴 ;

宁国栋 .

中国专利 :CN118026182A ,2024-05-14

[48]

多晶硅棒、多晶硅棒的制造方法以及多晶硅的热处理方法 [P].

阪井纯也 ;

箱守明 .

日本专利 :CN116490461B ,2024-11-12

[49]

一种多晶硅切割废料中金属硅的清洗回收装置 [P].

杨成丰 .

中国专利 :CN222739785U ,2025-04-11

[50]

由单晶硅和多晶硅切割废料中回收硅和碳化硅的方法 [P].

郭菁 ;

邢鹏飞 ;

任存治 ;

庄艳歆 ;

涂赣峰 .

中国专利 :CN101941699A ,2011-01-12

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