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半导体封装结构及其形成方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110145465.6
申请日
:
2021-02-02
公开(公告)号
:
CN113035825A
公开(公告)日
:
2021-06-25
发明(设计)人
:
李育颖
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号
IPC主分类号
:
H01L23498
IPC分类号
:
H01L2148
H01L2150
代理机构
:
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人
:
章社杲;李伟
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-06-25
公开
公开
2021-07-13
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/498 申请日:20210202
共 50 条
[1]
半导体封装结构及其形成方法
[P].
许仕逸
论文数:
0
引用数:
0
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0
许仕逸
;
金家宇
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金家宇
;
周哲雅
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周哲雅
;
许文松
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0
许文松
;
陈南诚
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0
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0
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陈南诚
.
中国专利
:CN107863326A
,2018-03-30
[2]
半导体封装结构及其形成方法
[P].
陈语同
论文数:
0
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0
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机构:
联发科技股份有限公司
联发科技股份有限公司
陈语同
;
范国龙
论文数:
0
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0
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机构:
联发科技股份有限公司
联发科技股份有限公司
范国龙
;
齐彦尧
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0
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0
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机构:
联发科技股份有限公司
联发科技股份有限公司
齐彦尧
;
刘乃玮
论文数:
0
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0
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机构:
联发科技股份有限公司
联发科技股份有限公司
刘乃玮
;
曹佩华
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0
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0
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机构:
联发科技股份有限公司
联发科技股份有限公司
曹佩华
.
中国专利
:CN118116893A
,2024-05-31
[3]
半导体封装结构及其形成方法
[P].
杨程
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机构:
长电科技管理有限公司
长电科技管理有限公司
杨程
;
章国伟
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机构:
长电科技管理有限公司
长电科技管理有限公司
章国伟
.
中国专利
:CN121215522A
,2025-12-26
[4]
半导体封装结构及其形成方法
[P].
张晋强
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0
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0
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机构:
联发科技股份有限公司
联发科技股份有限公司
张晋强
.
中国专利
:CN120834106A
,2025-10-24
[5]
半导体封装结构及其形成方法
[P].
齐彦尧
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齐彦尧
;
刘乃玮
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刘乃玮
;
于达人
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于达人
;
林子闳
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林子闳
;
许文松
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许文松
.
中国专利
:CN110911371A
,2020-03-24
[6]
半导体封装结构及其形成方法
[P].
许健
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许健
;
艾迪·凯佑·维嘉雅
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艾迪·凯佑·维嘉雅
;
普佳·瑞凡卓·戴许曼
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普佳·瑞凡卓·戴许曼
;
莫尼卡·巴提
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莫尼卡·巴提
.
中国专利
:CN110828320B
,2020-02-21
[7]
半导体封装结构及其形成方法
[P].
叶昶麟
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叶昶麟
;
黄耀霆
论文数:
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黄耀霆
.
中国专利
:CN113851431A
,2021-12-28
[8]
半导体封装结构及其形成方法
[P].
蔡柏豪
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蔡柏豪
;
林威宏
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林威宏
;
郑明达
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郑明达
;
李明机
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李明机
.
中国专利
:CN115565960A
,2023-01-03
[9]
半导体封装结构及其形成方法
[P].
张洪仁
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张洪仁
;
陈仁川
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陈仁川
;
王学德
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王学德
;
许文松
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许文松
.
中国专利
:CN109256371B
,2019-01-22
[10]
半导体封装结构及其形成方法
[P].
黄文宏
论文数:
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黄文宏
.
中国专利
:CN114171488A
,2022-03-11
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