导电性金属氧化膜、半导体元件和半导体装置

被引：0

申请号：

CN202180008631.6

申请日：

2021-01-08

公开(公告)号：

CN114930501A

公开(公告)日：

2022-08-19

发明(设计)人：

菅野亮平今藤修则松和良加藤勇次

申请人：

申请人地址：

日本京都

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L2507 H01L2518 H01L2924 H01L2947 H01L29872 H01L21329

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

刁兴利;康泉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-19	公开	公开
2022-12-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20210108

共 50 条

[1]

半导体元件、半导体装置及半导体系统 [P].

菅野亮平 ;

今藤修 ;

则松和良 ;

加藤勇次 .

中国专利 :CN113113481A ,2021-07-13

[2]

金属氧化物半导体元件和半导体结构 [P].

黄健朝 ;

杨富量 .

中国专利 :CN101087001A ,2007-12-12

[3]

半导体元件和半导体装置 [P].

今藤修 .

中国专利 :CN114503284A ,2022-05-13

[4]

半导体元件和半导体装置 [P].

松原佑典 ;

今藤修 ;

安藤裕之 ;

竹原秀树 ;

四户孝 ;

冲川满 .

中国专利 :CN115053354A ,2022-09-13

[5]

半导体元件和半导体装置 [P].

松原佑典 ;

今藤修 ;

安藤裕之 ;

竹原秀树 ;

四户孝 ;

冲川满 .

中国专利 :CN115053355A ,2022-09-13

[6]

晶体、半导体元件、半导体装置及半导体系统 [P].

菅野亮平 ;

今藤修 ;

则松和良 ;

加藤勇次 .

中国专利 :CN113113482A ,2021-07-13

[7]

晶体、半导体元件、半导体装置及半导体系统 [P].

菅野亮平 ;

今藤修 ;

则松和良 ;

加藤勇次 .

日本专利 :CN113113482B ,2025-12-09

[8]

导电性粘接剂和半导体装置 [P].

水村宜司 ;

斋藤聪 ;

神田大树 .

中国专利 :CN105899635A ,2016-08-24

[9]

导电性膏和半导体装置 [P].

玉野孝一 ;

高本真 .

中国专利 :CN115023771A ,2022-09-06

[10]

半导体膜和半导体元件 [P].

渡边明 ;

汤本彻 .

中国专利 :CN110459622A ,2019-11-15

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