碳化硅半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780039810.6

申请日：

2007-08-13

公开(公告)号：

CN101529598A

公开(公告)日：

2009-09-09

发明(设计)人：

藤川一洋

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2912

IPC分类号：

H01L21336 H01L2978

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

孙志湧;穆德骏

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101750374490 IPC(主分类):H01L 29/12 专利号:ZL2007800398106 申请日:20070813 授权公告日:20120404 终止日期:20160813
2012-04-04	授权	授权
2009-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-09-09	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅半导体器件的制造方法和碳化硅半导体器件 [P].

大西徹 ;

朽木克博 ;

山本建策 .

日本专利 :CN111788661B ,2024-03-22

[2]

碳化硅半导体器件的制造方法和碳化硅半导体器件 [P].

大西徹 ;

朽木克博 ;

山本建策 .

中国专利 :CN111788661A ,2020-10-16

[3]

碳化硅半导体器件和制造碳化硅半导体器件的方法 [P].

林秀树 ;

增田健良 .

中国专利 :CN103247680A ,2013-08-14

[4]

碳化硅半导体器件和用于制造碳化硅半导体器件的方法 [P].

和田圭司 ;

西口太郎 ;

日吉透 ;

堀井拓 ;

内田光亮 .

中国专利 :CN106796886A ,2017-05-31

[5]

用于制造碳化硅半导体器件的方法和碳化硅半导体器件 [P].

斋藤雄 ;

增田健良 ;

田中聪 ;

平塚健二 ;

岛津充 ;

神原健司 .

中国专利 :CN104321876A ,2015-01-28

[6]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

香川泰宏 ;

田中梨菜 ;

福井裕 ;

海老原洪平 ;

日野史郎 .

中国专利 :CN105474402B ,2016-04-06

[7]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

增田健良 .

中国专利 :CN105556675A ,2016-05-04

[8]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

穗永美纱子 ;

增田健良 .

中国专利 :CN103548144A ,2014-01-29

[9]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

登尾正人 ;

山本建策 ;

松木英夫 ;

高谷秀史 ;

杉本雅裕 ;

副岛成雅 ;

石川刚 ;

渡边行彦 .

中国专利 :CN102844867A ,2012-12-26

[10]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

久保田良辅 ;

山田俊介 ;

堀井拓 ;

增田健良 ;

滨岛大辅 ;

田中聪 ;

木村真二 ;

小林正幸 .

中国专利 :CN105706221B ,2016-06-22

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