一种SOI晶圆片的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911028150.2

申请日：

2019-10-28

公开(公告)号：

CN110739208A

公开(公告)日：

2020-01-31

发明(设计)人：

高文琳

申请人：

申请人地址：

110000 辽宁省沈阳市沈阳出口加工区浑南东路15-22号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21762

代理机构：

北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340

代理人：

龙涛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20191028
2020-01-31	公开	公开

共 50 条

[1]

一种SOI晶圆芯片的分离方法 [P].

张宾 ;

李若朋 ;

陈新准 ;

庄磊 ;

朱瑞 ;

陈善任 ;

程元红 ;

肖钧尹 ;

钟文兵 .

中国专利 :CN115818560B ,2025-06-10

[2]

SOI晶圆的制备方法 [P].

向晓 ;

张雅荣 ;

周平华 ;

徐洪涛 ;

张卫民 ;

李炜 .

中国专利 :CN120341171A ,2025-07-18

[3]

SOI晶圆的制备方法 [P].

刘张李 ;

莘海维 ;

蒙飞 ;

孙玉红 .

中国专利 :CN108550585A ,2018-09-18

[4]

SOI晶圆结构的制备方法及SOI晶圆结构 [P].

陈光华 ;

程勇 ;

彭坤 .

中国专利 :CN121076006A ,2025-12-05

[5]

SOI晶圆结构的制备方法及SOI晶圆结构 [P].

陈光华 ;

程勇 ;

彭坤 .

中国专利 :CN121076005A ,2025-12-05

[6]

一种SOI晶圆的制备方法 [P].

叶斐 ;

张晨膑 ;

刘红兵 ;

陈猛 .

中国专利 :CN118610153A ,2024-09-06

[7]

一种SOI晶圆的制备方法 [P].

魏星 ;

史晨雨 ;

薛忠营 .

中国专利 :CN120692923A ,2025-09-23

[8]

一种SOI晶圆的制造方法及其SOI晶圆 [P].

钟汇才 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102623303A ,2012-08-01

[9]

贴合SOI晶圆的制造方法及贴合SOI晶圆 [P].

今井俊和 ;

吉田和彦 ;

二井谷美保 ;

若林大士 ;

石川修 .

中国专利 :CN112262455A ,2021-01-22

[10]

贴合SOI晶圆的制造方法及贴合SOI晶圆 [P].

今井俊和 ;

吉田和彦 ;

二井谷美保 ;

若林大士 ;

石川修 .

日本专利 :CN112262455B ,2024-08-16

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