SOI晶圆的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810483321.X

申请日：

2018-05-18

公开(公告)号：

CN108550585A

公开(公告)日：

2018-09-18

发明(设计)人：

刘张李莘海维蒙飞孙玉红

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-18	公开	公开
2020-12-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 27/12 申请公布日:20180918
2018-10-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20180518

共 50 条

[1]

一种SOI晶圆的制造方法及其SOI晶圆 [P].

钟汇才 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102623303A ,2012-08-01

[2]

SOI晶圆的制备方法 [P].

向晓 ;

张雅荣 ;

周平华 ;

徐洪涛 ;

张卫民 ;

李炜 .

中国专利 :CN120341171A ,2025-07-18

[3]

SOI晶圆结构的制备方法及SOI晶圆结构 [P].

陈光华 ;

程勇 ;

彭坤 .

中国专利 :CN121076006A ,2025-12-05

[4]

SOI晶圆结构的制备方法及SOI晶圆结构 [P].

陈光华 ;

程勇 ;

彭坤 .

中国专利 :CN121076005A ,2025-12-05

[5]

SOI晶圆及其制造方法 [P].

清水和宏 ;

山下润一 ;

蔀拓一郎 .

中国专利 :CN103296031B ,2013-09-11

[6]

SOI晶圆的制造方法及SOI晶圆 [P].

横川功 .

日本专利 :CN116057666B ,2025-10-17

[7]

SOI晶圆的制造方法以及SOI晶圆 [P].

小林德弘 ;

横川功 ;

阿贺浩司 .

中国专利 :CN104956464A ,2015-09-30

[8]

SOI晶圆的处理方法及SOI晶圆 [P].

汪子文 ;

冯英华 ;

魏星 ;

李炜 .

中国专利 :CN119584638A ,2025-03-07

[9]

SOI晶圆的制造方法 [P].

阿贺浩司 ;

横川功 ;

石塚徹 .

中国专利 :CN104885190B ,2015-09-02

[10]

SOI晶圆的制造方法 [P].

阿贺浩司 ;

石塚徹 .

中国专利 :CN104620384B ,2015-05-13

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