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具有不对称击穿电压的TVS二极管和组件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201911243673.9
申请日：
2019-12-06
公开(公告)号：
CN112928168A
公开(公告)日：
2021-06-08
发明(设计)人：
曾剑飞 蔡颖达
申请人：
申请人地址：
214142 江苏省无锡市新区硕放振发六路3号
IPC主分类号：
H01L29861
IPC分类号：
H01L2906 H01L21329
代理机构：
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人：
王小衡;胡彬
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-06-25 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/861 申请日:20191206
2021-06-08 公开 公开
共 50 条
[1]
具有不对称击穿电压的TVS二极管和组件 [P]. 
曾剑飞 ;
蔡颖达 .
中国专利 :CN112928168B ,2025-06-27
[2]
具有可控击穿电压的二极管 [P]. 
F·希尔勒 ;
J·韦耶斯 .
中国专利 :CN103035743A ,2013-04-10
[3]
具有可调整击穿电压的齐纳二极管 [P]. 
R·西莫拉 ;
P·弗纳拉 .
中国专利 :CN111599871A ,2020-08-28
[4]
具有可调整击穿电压的齐纳二极管 [P]. 
R·西莫拉 ;
P·弗纳拉 .
法国专利 :CN111599871B ,2025-05-06
[5]
具有可调整击穿电压的齐纳二极管 [P]. 
R·西莫拉 ;
P·弗纳拉 .
中国专利 :CN105990452A ,2016-10-05
[6]
具有增强击穿电压的肖特基二极管 [P]. 
吕晋贤 ;
杜硕伦 ;
张晋伟 ;
詹景琳 ;
李明东 .
中国专利 :CN103456732B ,2013-12-18
[7]
单向TVS二极管 [P]. 
王军 .
中国专利 :CN120603259A ,2025-09-05
[8]
低电压TVS二极管器件 [P]. 
廖兵 ;
田伟 .
中国专利 :CN212542422U ,2021-02-12
[9]
具有不对称谐振隧道的发光二极管 [P]. 
王望南 ;
优利·G·施里特 ;
优利·T·里班 .
中国专利 :CN1187843C ,2001-02-14
[10]
具有可调整的低击穿电压的齐纳二极管 [P]. 
R·西莫拉 ;
P·弗纳拉 .
中国专利 :CN105990453A ,2016-10-05
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