半导体器件、切割半导体器件的切割设备及其切割方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410084958.X

申请日：

2004-10-08

公开(公告)号：

CN1604280A

公开(公告)日：

2005-04-06

发明(设计)人：

大川诚

申请人：

申请人地址：

日本爱知

IPC主分类号：

H01L21301

IPC分类号：

B23K2600 B28D500 B23K101:40

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

韩宏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-11-25	授权	授权
2021-09-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/301 申请日:20041008 授权公告日:20091125 终止日期:20201008
2005-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-04-06	公开	公开

共 50 条

[41]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

野濑幸则 .

日本专利 :CN110600378B ,2024-01-19

[42]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

野濑幸则 .

中国专利 :CN110600378A ,2019-12-20

[43]

半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、用于生产半导体器件的方法和半导体器件 [P].

河本裕介 ;

高本尚英 ;

志贺豪士 ;

浅井文辉 .

中国专利 :CN102376611A ,2012-03-14

[44]

用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底 [P].

羽中田忠浩 .

中国专利 :CN113471144A ,2021-10-01

[45]

用于制造半导体器件和切割道的方法 [P].

米卡尔·科林 ;

奥黛莉·伯舍乐 .

中国专利 :CN111511675A ,2020-08-07

[46]

用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底 [P].

羽中田忠浩 .

日本专利 :CN113471144B ,2025-06-13

[47]

用于制造半导体器件和切割道的方法 [P].

米卡尔·科林 ;

奥黛莉·伯舍乐 .

法国专利 :CN111511675B ,2024-06-18

[48]

半导体器件及半导体器件的预切割晶圆结构 [P].

黄卫文 ;

何先良 .

中国专利 :CN221508152U ,2024-08-09

[49]

半导体器件、半导体器件模块以及半导体器件的制造方法 [P].

野本隆司 ;

米田义之 ;

中村公一 .

中国专利 :CN103390612B ,2013-11-13

[50]

半导体器件、半导体器件设备及半导体器件的制造方法 [P].

重岁卓志 .

日本专利 :CN118120055A ,2024-05-31

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