半导体器件、切割半导体器件的切割设备及其切割方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410084958.X

申请日：

2004-10-08

公开(公告)号：

CN1604280A

公开(公告)日：

2005-04-06

发明(设计)人：

大川诚

申请人：

申请人地址：

日本爱知

IPC主分类号：

H01L21301

IPC分类号：

B23K2600 B28D500 B23K101:40

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

韩宏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-11-25	授权	授权
2021-09-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/301 申请日:20041008 授权公告日:20091125 终止日期:20201008
2005-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-04-06	公开	公开

共 50 条

[21]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

森田祐介 ;

土屋龙太 ;

石垣隆士 ;

杉井信之 ;

木村绅一郎 .

中国专利 :CN101604691B ,2009-12-16

[22]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

江间泰示 ;

藤田和司 .

中国专利 :CN102446768A ,2012-05-09

[23]

制造半导体器件的方法及半导体器件 [P].

镰田阳一 .

中国专利 :CN102651315A ,2012-08-29

[24]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

阿部由之 ;

宫崎忠一 ;

武藤英生 ;

东野朋子 .

中国专利 :CN101297394A ,2008-10-29

[25]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

山川真弥 .

中国专利 :CN101542699A ,2009-09-23

[26]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

木城耕一 .

中国专利 :CN1862790A ,2006-11-15

[27]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

藤田和司 ;

江间泰示 ;

小川裕之 .

中国专利 :CN102655150A ,2012-09-05

[28]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

渡边昌崇 ;

河野直哉 ;

菊地健彦 .

日本专利 :CN110970411B ,2024-09-10

[29]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

日本专利 :CN110556293B ,2024-03-08

[30]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

藤田和司 ;

江间泰示 ;

堀充明 ;

鸟居泰伸 .

中国专利 :CN103579347B ,2014-02-12

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