半导体复合晶圆及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010734727.8

申请日：

2020-07-28

公开(公告)号：

CN111952151A

公开(公告)日：

2020-11-17

发明(设计)人：

万明

申请人：

申请人地址：

215311 江苏省苏州市昆山市巴城镇石牌相石路1599号6号房

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

南京艾普利德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32297

代理人：

陆明耀

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-17	公开	公开
2020-12-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20200728

共 50 条

[1]

半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆 [P].

铃木温 .

日本专利 :CN119278499A ,2025-01-07

[2]

半导体晶圆制造系统及制造半导体晶圆的方法 [P].

陈哲夫 ;

洪伟华 .

中国专利 :CN113555310A ,2021-10-26

[3]

半导体晶圆制造系统及制造半导体晶圆的方法 [P].

陈哲夫 ;

洪伟华 .

中国专利 :CN113555310B ,2025-01-07

[4]

半导体芯片、半导体晶圆及半导体晶圆的制造方法 [P].

张乃千 ;

潘盼 .

中国专利 :CN107980171B ,2018-05-01

[5]

半导体芯片、半导体晶圆及半导体晶圆的制造方法 [P].

张乃千 ;

潘盼 .

中国专利 :CN107068611A ,2017-08-18

[6]

半导体晶圆的清洗方法、半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆 [P].

柳井凉一 .

日本专利 :CN120731491A ,2025-09-30

[7]

半导体芯片及半导体晶圆 [P].

王璞 .

中国专利 :CN118588832A ,2024-09-03

[8]

制造半导体器件的方法、复合晶圆和半导体器件 [P].

W·勒默特 ;

R·伯格 ;

A·布里纳 ;

H·布里施 ;

O·黑伯伦 ;

G·鲁尔 ;

R·拉普 .

中国专利 :CN105938794B ,2016-09-14

[9]

半导体芯片、半导体晶圆及制造方法 [P].

裴风丽 .

中国专利 :CN106252288A ,2016-12-21

[10]

半导体晶圆和半导体晶圆的制造方法 [P].

园田真吾 ;

西弦正 ;

藤原拓哉 .

日本专利 :CN121123119A ,2025-12-12

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