制造半导体器件的方法、复合晶圆和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610126058.X

申请日：

2016-03-04

公开(公告)号：

CN105938794B

公开(公告)日：

2016-09-14

发明(设计)人：

W·勒默特 R·伯格 A·布里纳 H·布里施 O·黑伯伦 G·鲁尔 R·拉普

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫

IPC主分类号：

H01L2118

IPC分类号：

H01L2920

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

郑立柱;董典红

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-28	授权	授权
2016-09-14	公开	公开
2016-10-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101683109444 IPC(主分类):H01L 21/18 专利申请号:201610126058X 申请日:20160304

共 50 条

[1]

半导体晶圆和半导体器件 [P].

袁述 .

中国专利 :CN102637788B ,2012-08-15

[2]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

韩啸 .

中国专利 :CN111490099B ,2020-08-04

[3]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

野濑幸则 .

日本专利 :CN110600378B ,2024-01-19

[4]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

野濑幸则 .

中国专利 :CN110600378A ,2019-12-20

[5]

用于制造半导体器件的复合晶圆 [P].

A·康迪莫夫 ;

J·拉姆德尼 ;

K·斯瓦米纳坦 .

中国专利 :CN103165625A ,2013-06-19

[6]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

日本专利 :CN117894849A ,2024-04-16

[7]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

郑兆钦 ;

陈奕升 ;

江宏礼 ;

陈自强 .

中国专利 :CN110783192A ,2020-02-11

[8]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

山田敦史 .

中国专利 :CN102646581A ,2012-08-22

[9]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

布兰丁·迪里耶 ;

戈本·多恩伯斯 ;

马库斯·约翰内斯·亨里克斯·凡·达尔 ;

马丁·克里斯多夫·霍兰德 .

中国专利 :CN110416158B ,2019-11-05

[10]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

新山浩司 .

日本专利 :CN120711753A ,2025-09-26

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