用于制造半导体器件的复合晶圆

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210545802.1

申请日：

2012-12-14

公开(公告)号：

CN103165625A

公开(公告)日：

2013-06-19

发明(设计)人：

A·康迪莫夫 J·拉姆德尼 K·斯瓦米纳坦

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L21762

代理机构：

北京北翔知识产权代理有限公司 11285

代理人：

杨勇;郑建晖

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101727331854 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:2012105458021 申请公布日:20130619
2013-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101494127647 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:2012105458021 申请日:20121214
2013-06-19	公开	公开

共 50 条

[1]

制造半导体器件的方法、复合晶圆和半导体器件 [P].

W·勒默特 ;

R·伯格 ;

A·布里纳 ;

H·布里施 ;

O·黑伯伦 ;

G·鲁尔 ;

R·拉普 .

中国专利 :CN105938794B ,2016-09-14

[2]

用于制造包括薄半导体晶圆的半导体器件的方法 [P].

W.贾尼施 ;

A.德维里伊斯 ;

S.马特蒂亚斯 .

中国专利 :CN107004578B ,2017-08-01

[3]

制造半导体晶圆的方法以及制造半导体器件的方法 [P].

J·弗伦德 ;

H·奥弗纳 ;

H-J·舒尔策 .

中国专利 :CN106571320B ,2017-04-19

[4]

半导体电路和器件制造方法、晶圆复合体和半导体器件 [P].

赫尔曼·格鲁贝尔 ;

约尔格·布施 ;

德里克·德比 ;

托马斯·菲舍尔 ;

丹尼尔·波尔沃尔 ;

马蒂亚斯·施密特 .

:CN117790417A ,2024-03-29

[5]

半导体晶圆和半导体器件 [P].

袁述 .

中国专利 :CN102637788B ,2012-08-15

[6]

用于制造半导体器件的方法 [P].

A.莫泽 ;

M.达伊内塞 ;

M.金勒 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN109801876A ,2019-05-24

[7]

用于制造半导体器件的方法 [P].

A.莫泽 ;

M.达伊内塞 ;

M.金勒 ;

H-J.舒尔策 .

德国专利 :CN109801876B ,2024-07-16

[8]

用于制造半导体器件的虚拟晶圆技术 [P].

M·艾曼·谢比卜 ;

K·特里尔 .

中国专利 :CN111799174A ,2020-10-20

[9]

半导体复合晶圆及制造方法 [P].

万明 .

中国专利 :CN111952151A ,2020-11-17

[10]

半导体器件评估方法、半导体晶圆、半导体产品制造方法 [P].

小槻一贵 .

中国专利 :CN101364554B ,2009-02-11

← 1 2 3 4 5 →