用于制造包括薄半导体晶圆的半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580049707.4

申请日：

2015-09-11

公开(公告)号：

CN107004578B

公开(公告)日：

2017-08-01

发明(设计)人：

W.贾尼施 A.德维里伊斯 S.马特蒂亚斯

申请人：

申请人地址：

瑞士巴登

IPC主分类号：

H01L2118

IPC分类号：

H01L21331 H01L21332 H01L29739 H01L29744 H01L2908

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

姜冰;姜甜

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-24	授权	授权
2021-07-06	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/18 登记生效日:20210624 变更事项:专利权人变更前权利人:ABB瑞士股份有限公司变更后权利人:ABB电网瑞士股份公司变更事项:地址变更前权利人:瑞士巴登变更后权利人:瑞士巴登
2022-04-19	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/18 变更事项:专利权人变更前:ABB电网瑞士股份公司变更后:日立能源瑞士股份公司变更事项:地址变更前:瑞士巴登变更后:瑞士巴登
2017-08-01	公开	公开
2017-10-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101750973334 IPC(主分类):H01L 21/18 专利申请号:2015800497074 申请日:20150911

共 50 条

[1]

制造半导体晶圆的方法以及制造半导体器件的方法 [P].

J·弗伦德 ;

H·奥弗纳 ;

H-J·舒尔策 .

中国专利 :CN106571320B ,2017-04-19

[2]

半导体器件评估方法、半导体晶圆、半导体产品制造方法 [P].

小槻一贵 .

中国专利 :CN101364554B ,2009-02-11

[3]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

U·维穆拉帕蒂 ;

J·沃贝基 ;

T·维克斯特罗 ;

T·斯蒂亚斯尼 .

:CN120677849A ,2025-09-19

[4]

半导体晶圆和半导体器件 [P].

袁述 .

中国专利 :CN102637788B ,2012-08-15

[5]

制造半导体器件的方法、复合晶圆和半导体器件 [P].

W·勒默特 ;

R·伯格 ;

A·布里纳 ;

H·布里施 ;

O·黑伯伦 ;

G·鲁尔 ;

R·拉普 .

中国专利 :CN105938794B ,2016-09-14

[6]

半导体芯片、半导体晶圆及半导体晶圆的制造方法 [P].

张乃千 ;

潘盼 .

中国专利 :CN107980171B ,2018-05-01

[7]

半导体芯片、半导体晶圆及半导体晶圆的制造方法 [P].

张乃千 ;

潘盼 .

中国专利 :CN107068611A ,2017-08-18

[8]

半导体晶圆的清洗方法、半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆 [P].

柳井凉一 .

日本专利 :CN120731491A ,2025-09-30

[9]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

李制勳 ;

金恩贤 ;

申相原 ;

李恩荣 .

中国专利 :CN105552128B ,2016-05-04

[10]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

拉杜·C.·苏尔代亚努 ;

赫尔本·多恩博斯 ;

马库斯·J.·H.·范达尔 .

中国专利 :CN1922719B ,2007-02-28

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