用于生产金属半导体接触的半导体元件和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810099666.1

申请日：

2008-06-13

公开(公告)号：

CN101369563B

公开(公告)日：

2009-02-18

发明(设计)人：

B·威尔德潘纳 H·冯坎佩 W·巴斯

申请人：

申请人地址：

德国阿尔策瑙

IPC主分类号：

H01L2348

IPC分类号：

H01L23522 H01L2160 H01L21768 H01L31042 H01L3105 H01L310224 H01L3118

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

朱海煜;刘春元

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-02-18	公开	公开
2012-07-11	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101410543528 IPC(主分类):H01L 23/48 专利号:ZL2008100996661 变更事项:专利权人变更前:肖特太阳有限责任公司变更后:肖特太阳能股份公司变更事项:地址变更前:德国阿尔策瑙变更后:德国美因茨
2012-05-30	授权	授权
2010-07-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101003582100 IPC(主分类):H01L 23/48 专利申请号:2008100996661 申请日:20080613
2022-06-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/48 申请日:20080613 授权公告日:20120530 终止日期:20210613

共 50 条

[1]

半导体元件和用于制造半导体元件的方法 [P].

M·瓦佩尔 ;

B·克诺特 ;

H·托伊斯 .

中国专利 :CN109637982A ,2019-04-16

[2]

半导体元件和用于制造半导体元件的方法 [P].

甘利浩一 .

中国专利 :CN102130171B ,2011-07-20

[3]

半导体元件和用于制造半导体元件的方法 [P].

C.布雷特豪尔 ;

D.梅因霍尔德 .

中国专利 :CN105905865A ,2016-08-31

[4]

半导体元件和用于制造半导体元件的方法 [P].

M·齐茨尔斯佩格 ;

T·施瓦茨 ;

T·格布尔 .

德国专利 :CN117397047A ,2024-01-12

[5]

金属半导体接触结构及半导体器件的制造方法 [P].

李翔 ;

勇越 ;

谢志平 ;

丛茂杰 .

中国专利 :CN117650044A ,2024-03-05

[6]

半导体元件和半导体装置 [P].

氏家康晴 ;

根岸佑树 ;

齐藤阳介 ;

市村真理 .

日本专利 :CN117546627A ,2024-02-09

[7]

半导体元件的金属接触垫 [P].

钱家锜 .

中国专利 :CN2531524Y ,2003-01-15

[8]

半导体元件和使用半导体元件的半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

加藤清 ;

矶部敦生 ;

宫入秀和 ;

须泽英臣 .

中国专利 :CN101217150B ,2008-07-09

[9]

半导体元件和使用半导体元件的半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

加藤清 ;

矶部敦生 ;

宫入秀和 ;

须泽英臣 .

中国专利 :CN100350617C ,2003-09-24

[10]

半导体元件和半导体元件的制造方法 [P].

村川贤太郎 .

中国专利 :CN114600248A ,2022-06-07

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