半导体元件和用于制造半导体元件的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202280038178.8
申请日
2022-05-25
公开(公告)号
CN117397047A
公开(公告)日
2024-01-12
发明(设计)人
M·齐茨尔斯佩格 T·施瓦茨 T·格布尔
申请人
艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
申请人地址
德国雷根斯堡
IPC主分类号
H01L33/48
IPC分类号
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
张涛;刘春元
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体元件和用于制造半导体元件的方法 [P]. 
M·瓦佩尔 ;
B·克诺特 ;
H·托伊斯 .
中国专利 :CN109637982A ,2019-04-16
[2]
半导体元件和用于制造半导体元件的方法 [P]. 
甘利浩一 .
中国专利 :CN102130171B ,2011-07-20
[3]
半导体元件和用于制造半导体元件的方法 [P]. 
C.布雷特豪尔 ;
D.梅因霍尔德 .
中国专利 :CN105905865A ,2016-08-31
[4]
半导体元件和半导体元件的制造方法 [P]. 
村川贤太郎 .
中国专利 :CN114600248A ,2022-06-07
[5]
半导体元件和半导体元件的制造方法 [P]. 
西村武义 .
中国专利 :CN106449638A ,2017-02-22
[6]
半导体元件的制造方法和半导体元件 [P]. 
三宅泰人 ;
广山良治 ;
畑雅幸 .
中国专利 :CN101369528A ,2009-02-18
[7]
半导体元件和半导体元件的制造方法 [P]. 
村川贤太郎 .
日本专利 :CN114600248B ,2025-04-22
[8]
半导体元件的制造方法和半导体元件 [P]. 
松浦文章 ;
佐藤知稔 .
中国专利 :CN105706215B ,2016-06-22
[9]
半导体元件和制造半导体元件的方法 [P]. 
约阿希姆·魏尔斯 ;
凯夫尼·布埃越克塔斯 ;
弗朗茨·赫尔莱尔 ;
安东·毛德 .
中国专利 :CN103700650B ,2014-04-02
[10]
半导体元件及半导体元件制造方法 [P]. 
幸田了祐 ;
平田公祐 .
中国专利 :CN115461848A ,2022-12-09