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半导体元件和用于制造半导体元件的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202280038178.8
申请日
:
2022-05-25
公开(公告)号
:
CN117397047A
公开(公告)日
:
2024-01-12
发明(设计)人
:
M·齐茨尔斯佩格
T·施瓦茨
T·格布尔
申请人
:
艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
申请人地址
:
德国雷根斯堡
IPC主分类号
:
H01L33/48
IPC分类号
:
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
:
张涛;刘春元
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-01-30
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/48申请日:20220525
2024-01-12
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体元件和用于制造半导体元件的方法
[P].
M·瓦佩尔
论文数:
0
引用数:
0
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0
M·瓦佩尔
;
B·克诺特
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B·克诺特
;
H·托伊斯
论文数:
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引用数:
0
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H·托伊斯
.
中国专利
:CN109637982A
,2019-04-16
[2]
半导体元件和用于制造半导体元件的方法
[P].
甘利浩一
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0
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0
甘利浩一
.
中国专利
:CN102130171B
,2011-07-20
[3]
半导体元件和用于制造半导体元件的方法
[P].
C.布雷特豪尔
论文数:
0
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0
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0
C.布雷特豪尔
;
D.梅因霍尔德
论文数:
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0
D.梅因霍尔德
.
中国专利
:CN105905865A
,2016-08-31
[4]
半导体元件和半导体元件的制造方法
[P].
村川贤太郎
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村川贤太郎
.
中国专利
:CN114600248A
,2022-06-07
[5]
半导体元件和半导体元件的制造方法
[P].
西村武义
论文数:
0
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0
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0
西村武义
.
中国专利
:CN106449638A
,2017-02-22
[6]
半导体元件的制造方法和半导体元件
[P].
三宅泰人
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三宅泰人
;
广山良治
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广山良治
;
畑雅幸
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0
畑雅幸
.
中国专利
:CN101369528A
,2009-02-18
[7]
半导体元件和半导体元件的制造方法
[P].
村川贤太郎
论文数:
0
引用数:
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机构:
京瓷株式会社
京瓷株式会社
村川贤太郎
.
日本专利
:CN114600248B
,2025-04-22
[8]
半导体元件的制造方法和半导体元件
[P].
松浦文章
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松浦文章
;
佐藤知稔
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0
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0
佐藤知稔
.
中国专利
:CN105706215B
,2016-06-22
[9]
半导体元件和制造半导体元件的方法
[P].
约阿希姆·魏尔斯
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约阿希姆·魏尔斯
;
凯夫尼·布埃越克塔斯
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凯夫尼·布埃越克塔斯
;
弗朗茨·赫尔莱尔
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弗朗茨·赫尔莱尔
;
安东·毛德
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安东·毛德
.
中国专利
:CN103700650B
,2014-04-02
[10]
半导体元件及半导体元件制造方法
[P].
幸田了祐
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幸田了祐
;
平田公祐
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平田公祐
.
中国专利
:CN115461848A
,2022-12-09
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