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半导体装置以及半导体装置的制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201210410515.X
申请日
:
2012-10-24
公开(公告)号
:
CN103066128A
公开(公告)日
:
2013-04-24
发明(设计)人
:
栃林克明
日向野聪
山崎舜平
申请人
:
申请人地址
:
日本神奈川县厚木市
IPC主分类号
:
H01L29786
IPC分类号
:
H01L2177
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
:
张金金;朱海煜
法律状态
:
授权
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2017-06-09
授权
授权
2014-11-12
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101588443247 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:201210410515X 申请日:20121024
共 50 条
[1]
半导体装置以及半导体装置的制造方法
[P].
栃林克明
论文数:
0
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0
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栃林克明
;
日向野聪
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日向野聪
;
山崎舜平
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山崎舜平
.
中国专利
:CN107302031A
,2017-10-27
[2]
半导体装置以及半导体装置的制造方法
[P].
栃林克明
论文数:
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0
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
栃林克明
;
日向野聪
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
日向野聪
;
山崎舜平
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
山崎舜平
.
日本专利
:CN118712235A
,2024-09-27
[3]
半导体装置以及半导体装置的制造方法
[P].
栃林克明
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
栃林克明
;
日向野聪
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
日向野聪
;
山崎舜平
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
山崎舜平
.
日本专利
:CN112510096B
,2024-07-19
[4]
半导体装置以及半导体装置的制造方法
[P].
栃林克明
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栃林克明
;
日向野聪
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日向野聪
;
山崎舜平
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山崎舜平
.
中国专利
:CN112510096A
,2021-03-16
[5]
半导体装置以及半导体装置的制造方法
[P].
山崎舜平
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山崎舜平
;
宫入秀和
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宫入秀和
;
宫永昭治
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宫永昭治
;
秋元健吾
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秋元健吾
;
白石康次郎
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白石康次郎
.
中国专利
:CN102842585A
,2012-12-26
[6]
半导体装置以及半导体装置的制造方法
[P].
佐佐木俊成
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佐佐木俊成
;
大原宏树
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大原宏树
;
坂田淳一郎
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坂田淳一郎
.
中国专利
:CN101901768B
,2010-12-01
[7]
半导体装置以及半导体装置的制造方法
[P].
栃林克明
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栃林克明
;
日向野聪
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日向野聪
;
山崎舜平
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山崎舜平
.
中国专利
:CN103065969A
,2013-04-24
[8]
半导体装置以及半导体装置的制造方法
[P].
佐佐木俊成
论文数:
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佐佐木俊成
;
大原宏树
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大原宏树
;
坂田淳一郎
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坂田淳一郎
.
中国专利
:CN104658915B
,2015-05-27
[9]
半导体装置以及半导体装置的制造方法
[P].
山崎舜平
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山崎舜平
;
宫入秀和
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宫入秀和
;
宫永昭治
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宫永昭治
;
秋元健吾
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秋元健吾
;
白石康次郎
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白石康次郎
.
中国专利
:CN101640221B
,2010-02-03
[10]
半导体装置以及半导体装置的制造方法
[P].
及川欣聪
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及川欣聪
;
丸山穗高
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丸山穗高
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乡户宏充
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乡户宏充
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河江大辅
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河江大辅
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山崎舜平
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山崎舜平
.
中国专利
:CN101800250A
,2010-08-11
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