半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210331577.1

申请日：

2012-09-07

公开(公告)号：

CN103022119A

公开(公告)日：

2013-04-03

发明(设计)人：

美浓浦优一

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2910 H01L21335 H03F3193 H02M7217 H02M3335

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

顾晋伟;董文国

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-03	公开	公开
2014-08-20	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101703953475 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2012103315771 变更事项:申请人变更前权利人:富士通株式会社变更后权利人:创世舫电子日本株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川县变更后权利人:日本神奈川县登记生效日:20140728
2013-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101448950380 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2012103315771 申请日:20120907
2016-08-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101736858708 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2012103315771 申请公布日:20130403

共 50 条

[1]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

山田敦史 ;

温井健司 .

中国专利 :CN103715084A ,2014-04-09

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

小谷淳二 .

中国专利 :CN103022121A ,2013-04-03

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

山田敦史 .

中国专利 :CN104465743A ,2015-03-25

[4]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

中村哲一 ;

山田敦史 ;

石黑哲郎 ;

小谷淳二 ;

今西健治 .

中国专利 :CN103715248A ,2014-04-09

[5]

半导体器件 [P].

大谷久 ;

安达广树 ;

宫永昭治 ;

高山彻 .

中国专利 :CN1271181A ,2000-10-25

[6]

半导体器件 [P].

冈本直哉 .

中国专利 :CN103972283B ,2014-08-06

[7]

半导体器件 [P].

山本芳树 .

中国专利 :CN114582875A ,2022-06-03

[8]

半导体器件 [P].

井口总一郎 .

中国专利 :CN107658297B ,2018-02-02

[9]

半导体器件 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN105914209A ,2016-08-31

[10]

半导体器件 [P].

珈玛尔·拉丹尼 ;

拉文德兰斯·德鲁帕德 ;

林迪·L·西尔特 ;

科特·W·埃森贝瑟 .

中国专利 :CN1398430A ,2003-02-19

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