半导体激光器热沉

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720629529.9

申请日：

2017-05-31

公开(公告)号：

CN207250929U

公开(公告)日：

2018-04-17

发明(设计)人：

文少剑刘猛

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市龙华新区观澜街道上坑社区观盛五路5号泰豪科技厂区1号楼南、西三楼工业园3楼

IPC主分类号：

H01S5022

IPC分类号：

H01S5024

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

吴平

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-17	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体激光器热沉管道 [P].

王大拯 ;

王翠鸾 ;

仲莉 ;

韩淋 ;

崇峰 ;

史慧玲 ;

王冠 ;

胡理科 ;

刘素平 ;

马骁宇 .

中国专利 :CN201048241Y ,2008-04-16

[2]

半导体激光器热沉管道 [P].

王大拯 ;

王勇刚 ;

冯晓明 ;

蓝永生 ;

刘素平 ;

马骁宇 .

中国专利 :CN201048240Y ,2008-04-16

[3]

半导体激光器热沉 [P].

王大拯 ;

冯晓明 ;

王俊 ;

吕卉 ;

李伟 ;

刘媛媛 ;

刘素平 ;

马骁宇 .

中国专利 :CN101242079A ,2008-08-13

[4]

半导体激光器热沉 [P].

刘宇 ;

陈振宇 ;

祝宁华 .

中国专利 :CN1275368C ,2005-05-18

[5]

半导体激光器热沉 [P].

张学友 ;

刘显祖 ;

许旵鹏 ;

许尧 ;

马欢 ;

陈昱卓 ;

黄俊昌 ;

阮巍 ;

贺成成 .

中国专利 :CN121149781A ,2025-12-16

[6]

半导体激光器 [P].

周少丰 ;

刘鹏 ;

陈丕新 .

中国专利 :CN210490085U ,2020-05-08

[7]

半导体激光器 [P].

周少丰 ;

刘鹏 ;

喻文琛 .

中国专利 :CN210490074U ,2020-05-08

[8]

一种半导体激光器阶梯结构热沉 [P].

李军 ;

席道明 ;

陈云 ;

马永坤 ;

吕艳钊 ;

魏皓 .

中国专利 :CN210156716U ,2020-03-17

[9]

半导体激光器热沉结构 [P].

仲莉 ;

曾越 ;

薛春来 .

中国专利 :CN120200091A ,2025-06-24

[10]

半导体激光器单片式宏通道热沉及半导体激光器 [P].

崔卫军 ;

卢广 .

中国专利 :CN204706766U ,2015-10-14

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