集成电路中厚金属电感的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510111287.6

申请日：

2005-12-08

公开(公告)号：

CN100474560C

公开(公告)日：

2007-06-13

发明(设计)人：

姚泽强金炎俞波

申请人：

申请人地址：

201206上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L213213

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-01	授权	授权
2007-06-13	公开	公开
2014-02-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101689309957 IPC(主分类):H01L 21/768 专利号:ZL2005101112876 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140108
2007-08-08	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

集成电路中的电感及制作方法 [P].

陈华伦 ;

罗啸 ;

熊涛 ;

陈瑜 ;

陈雄斌 .

中国专利 :CN101752226A ,2010-06-23

[2]

具有超厚顶层金属的集成电路的制作方法及集成电路 [P].

李磊 ;

胡友存 ;

姬峰 ;

张亮 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102437107A ,2012-05-02

[3]

具有超厚顶层金属的集成电路的制作方法及集成电路 [P].

李磊 ;

胡友存 ;

姬峰 ;

张亮 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102522367A ,2012-06-27

[4]

集成电路电感及其制作方法 [P].

陈真 ;

林永锋 ;

黄琳 .

中国专利 :CN102087995A ,2011-06-08

[5]

集成电路中通孔的制作方法 [P].

邓镭 ;

方精训 ;

程晓华 .

中国专利 :CN101937868A ,2011-01-05

[6]

BiCMOS集成电路制作方法 [P].

潘光燃 ;

文燕 ;

高振杰 ;

马万里 ;

石金成 ;

蔡新春 .

中国专利 :CN106033743B ,2016-10-19

[7]

集成电路的制作方法 [P].

林志昌 ;

吴伟豪 ;

余佳霓 ;

王志豪 ;

江国诚 .

中国专利 :CN110943042A ,2020-03-31

[8]

集成电路的制作方法 [P].

李海艇 ;

黄河 ;

刘煊杰 .

中国专利 :CN103187351B ,2013-07-03

[9]

集成电路的制作方法 [P].

萧志民 ;

赖建文 ;

刘如淦 ;

赖志明 ;

苏伟硕 ;

张育祯 .

中国专利 :CN112447528A ,2021-03-05

[10]

集成电路制作方法 [P].

杨立平 ;

陈碧成 ;

康汉彰 ;

颜仁鸿 .

中国专利 :CN101609811B ,2009-12-23

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