一种提高硅片底面粗糙度的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911343963.0

申请日：

2019-12-24

公开(公告)号：

CN113035704A

公开(公告)日：

2021-06-25

发明(设计)人：

张建

申请人：

申请人地址：

523087 广东省东莞市南城区宏远工业区

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

郝传鑫

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-25	公开	公开

共 50 条

[1]

一种提高翻孔底面粗糙度工艺 [P].

邓庄坤 ;

王朝勇 ;

许斌 ;

赵安均 .

中国专利 :CN114472700A ,2022-05-13

[2]

一种提高翻孔底面粗糙度工艺 [P].

邓庄坤 ;

王朝勇 ;

许斌 ;

赵安均 .

中国专利 :CN114472700B ,2024-01-16

[3]

半导体元件表面增加粗糙度的方法 [P].

刘晓明 .

中国专利 :CN113380617A ,2021-09-10

[4]

一种提高硅片表面粗糙度的抛光工艺 [P].

张超仁 ;

侯国荣 ;

王彦君 ;

孙晨光 ;

曹锦伟 .

中国专利 :CN113927377A ,2022-01-14

[5]

硅片边缘粗糙度的检测方法 [P].

罗国菁 .

中国专利 :CN118794380A ,2024-10-18

[6]

一种半导体表面上增加粗糙度的方法 [P].

肖荣健 .

中国专利 :CN111725061A ,2020-09-29

[7]

降低硅片边缘粗糙度的工艺方法 [P].

张森阳 .

中国专利 :CN120619986A ,2025-09-12

[8]

改善硅片表面粗糙度的工艺方法 [P].

蔡来强 .

中国专利 :CN120048724A ,2025-05-27

[9]

硅片研磨表面粗糙度控制方法 [P].

仲跻和 ;

李家荣 ;

吴亮 .

中国专利 :CN101310926A ,2008-11-26

[10]

一种改善硅片多晶层粗糙度的方法 [P].

朱志伟 ;

高鹏飞 ;

张以鑫 ;

王放 ;

邹鹏 ;

杨爱兵 ;

陈琴琴 ;

朱超 ;

王震 ;

李方虎 ;

林晓华 ;

梁兴勃 .

中国专利 :CN118600397A ,2024-09-06

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