半导体光电元件及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201010160110.6
申请日
2010-04-29
公开(公告)号
CN102237454A
公开(公告)日
2011-11-09
发明(设计)人
凃博闵 黄世晟 杨顺贵 黄嘉宏
申请人
申请人地址
518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号
IPC主分类号
H01L3310
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体光电元件 [P]. 
黄世晟 ;
凃博闵 .
中国专利 :CN101728451A ,2010-06-09
[2]
半导体光电元件 [P]. 
薛惟仁 ;
郑伟文 ;
高振凯 ;
杨闵皓 ;
张峻玮 ;
李世昌 .
中国专利 :CN118553826A ,2024-08-27
[3]
半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法 [P]. 
平尾直树 .
中国专利 :CN101887937A ,2010-11-17
[4]
有机光电半导体元件及其制造方法 [P]. 
温添进 ;
郭宗枋 ;
许渭州 ;
谢松年 ;
李宬谚 .
中国专利 :CN102270741B ,2011-12-07
[5]
有机光电半导体元件及其制造方法 [P]. 
温添进 ;
郭宗枋 ;
许渭州 ;
谢松年 ;
李宬谚 .
中国专利 :CN102270740A ,2011-12-07
[6]
半导体激光元件及其制造方法 [P]. 
松村拓明 .
中国专利 :CN1783606A ,2006-06-07
[7]
半导体发光元件及其制造方法 [P]. 
铃木真理子 ;
小野富男 ;
酒井忠司 ;
佐久间尚志 ;
吉田博昭 .
中国专利 :CN1941438A ,2007-04-04
[8]
半导体发光元件及其制造方法 [P]. 
井上振一郎 ;
溜直树 .
中国专利 :CN105453277B ,2016-03-30
[9]
半导体光元件及其制造方法 [P]. 
平谷拓生 ;
八木英树 ;
藤原直树 .
中国专利 :CN114545548A ,2022-05-27
[10]
半导体激光元件及其制造方法 [P]. 
松村拓明 .
中国专利 :CN1434996A ,2003-08-06