半导体晶片

被引：0

专利类型：

外观设计

申请号：

CN201330248472.5

申请日：

2013-06-13

公开(公告)号：

CN302808895S

公开(公告)日：

2014-04-30

发明(设计)人：

拉贾特·萨尔马安德鲁·费尔克

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

1499

IPC分类号：

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

余刚;李静

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-30	授权	授权
2021-05-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止主分类号:14-99 申请日:20130613 授权公告日:20140430 终止日期:20200613

共 50 条

[1]

半导体晶片容器 [P].

伊豆利惠 .

中国专利 :CN304239490S ,2017-08-11

[2]

半导体晶片 [P].

R·绍尔 ;

C·哈格尔 .

中国专利 :CN109881183B ,2019-06-14

[3]

半导体晶片 [P].

陈辰 ;

宋杰 ;

崔周源 .

中国专利 :CN208970547U ,2019-06-11

[4]

半导体晶片 [P].

宫下昭 ;

讃岐幸悦 ;

佐藤正和 .

中国专利 :CN1545723A ,2004-11-10

[5]

半导体晶片 [P].

孙倩 ;

陈伟钿 ;

张永杰 ;

周永昌 ;

李浩南 .

中国专利 :CN212084974U ,2020-12-04

[6]

半导体晶片 [P].

吉田雅昭 ;

神埜聪 .

中国专利 :CN101714562A ,2010-05-26

[7]

半导体晶片 [P].

林宗辉 ;

刘洪民 ;

饶瑞孟 ;

张文通 ;

陈国明 ;

何凯光 .

中国专利 :CN100407403C ,2007-01-03

[8]

半导体晶片 [P].

克里斯·哈迪曼 ;

荣-槿·李 ;

法比亚·拉杜勒斯库 ;

丹尼尔·纳米希亚 ;

斯科特·托马斯·谢泼德 .

中国专利 :CN115000030A ,2022-09-02

[9]

半导体晶片 [P].

傅宗民 ;

林晃生 ;

韩郁琪 ;

陈宪伟 .

中国专利 :CN1783494A ,2006-06-07

[10]

半导体晶片 [P].

小幡俊之 .

中国专利 :CN109075224A ,2018-12-21

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