半导体组件及其形成方法

被引：0

申请号：

CN202110706635.3

申请日：

2021-06-24

公开(公告)号：

CN115528035A

公开(公告)日：

2022-12-27

发明(设计)人：

王裕隆蔡耀庭陈建廷卫远皇

申请人：

申请人地址：

中国台湾台中市大雅区科雅一路8号

IPC主分类号：

H01L2711517

IPC分类号：

H01L2711548

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

贺财俊;臧建明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11517 申请日:20210624
2022-12-27	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体组件及其形成方法 [P].

吴俊毅 ;

余振华 .

中国专利 :CN114628363A ,2022-06-14

[2]

半导体组件及其形成方法 [P].

贾汉中 ;

陈颉彦 ;

沈科翰 ;

郭鸿毅 .

中国专利 :CN119965158A ,2025-05-09

[3]

半导体组件及其形成方法 [P].

林立人 ;

李泰源 ;

戴国瑞 ;

林健财 .

中国专利 :CN109216306A ,2019-01-15

[4]

半导体组件及其形成方法 [P].

韩峰 ;

黄剑 ;

桂林春 ;

陈忠浩 .

中国专利 :CN114496923A ,2022-05-13

[5]

半导体组件及其形成方法 [P].

涂国基 ;

陈椿瑶 .

中国专利 :CN101127355B ,2008-02-20

[6]

半导体芯片与半导体组件及其形成方法 [P].

柯志欣 ;

李文钦 ;

杨育佳 ;

林俊杰 ;

胡正明 .

中国专利 :CN100345298C ,2005-07-27

[7]

半导体装置及其形成方法 [P].

李香寰 ;

李明翰 ;

叶名世 ;

余振华 .

中国专利 :CN101521175A ,2009-09-02

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN111554636A ,2020-08-18

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

林志昌 ;

蔡腾群 ;

吴伟豪 .

中国专利 :CN110957299B ,2020-04-03

[10]

半导体装置及其形成方法 [P].

陈亭纲 ;

林宛娴 ;

王捷平 ;

黄泰钧 ;

徐志安 .

中国专利 :CN113270473B ,2025-06-24

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