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半导体器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN200510065135.7
申请日
:
2001-02-01
公开(公告)号
:
CN1665034A
公开(公告)日
:
2005-09-07
发明(设计)人
:
中村勝光
楠茂
中村秀城
申请人
:
申请人地址
:
日本东京都
IPC主分类号
:
H01L2978
IPC分类号
:
H01L29739
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
:
叶恺东
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2005-09-07
公开
公开
2021-02-23
专利权的终止
专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20010201 授权公告日:20080903
2005-11-02
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-09-03
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体器件以及半导体器件的制造方法
[P].
清水二二男
论文数:
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0
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清水二二男
;
可知刚
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可知刚
;
吉田芳规
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吉田芳规
.
中国专利
:CN112103288A
,2020-12-18
[2]
半导体器件
[P].
小野瑞城
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0
小野瑞城
;
石原贵光
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石原贵光
.
中国专利
:CN1591903A
,2005-03-09
[3]
半导体器件
[P].
椿茂树
论文数:
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椿茂树
.
中国专利
:CN1707809A
,2005-12-14
[4]
半导体器件
[P].
安部宽子
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安部宽子
;
岩城裕司
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岩城裕司
;
汤川干央
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汤川干央
;
山崎舜平
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山崎舜平
;
荒井康行
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荒井康行
;
渡边康子
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渡边康子
;
守屋芳隆
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守屋芳隆
.
中国专利
:CN101044624A
,2007-09-26
[5]
半导体器件
[P].
J·G·拉文
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J·G·拉文
;
H-J·舒尔策
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H-J·舒尔策
;
R·巴布斯克
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R·巴布斯克
.
中国专利
:CN107863380A
,2018-03-30
[6]
半导体器件
[P].
辻内干夫
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辻内干夫
;
新田哲也
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新田哲也
.
中国专利
:CN104576717A
,2015-04-29
[7]
半导体器件
[P].
山路将晴
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山路将晴
.
中国专利
:CN105074922B
,2015-11-18
[8]
半导体器件
[P].
近松圣
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近松圣
;
渡边寿郎
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渡边寿郎
;
井上寿明
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井上寿明
;
小濑泰
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小濑泰
.
中国专利
:CN1195894A
,1998-10-14
[9]
半导体器件和半导体衬底
[P].
杉井信之
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杉井信之
;
中川清和
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中川清和
;
山中伸也
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山中伸也
;
宫尾正信
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宫尾正信
.
中国专利
:CN1210809C
,2002-05-15
[10]
半导体器件以及形成半导体器件的方法
[P].
朱慧珑
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朱慧珑
;
林红
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林红
.
中国专利
:CN101097955A
,2008-01-02
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