半导体器件

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专利类型
发明
申请号
CN200510065135.7
申请日
2001-02-01
公开(公告)号
CN1665034A
公开(公告)日
2005-09-07
发明(设计)人
中村勝光 楠茂 中村秀城
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L29739
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
叶恺东
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P]. 
清水二二男 ;
可知刚 ;
吉田芳规 .
中国专利 :CN112103288A ,2020-12-18
[2]
半导体器件 [P]. 
小野瑞城 ;
石原贵光 .
中国专利 :CN1591903A ,2005-03-09
[3]
半导体器件 [P]. 
椿茂树 .
中国专利 :CN1707809A ,2005-12-14
[4]
半导体器件 [P]. 
安部宽子 ;
岩城裕司 ;
汤川干央 ;
山崎舜平 ;
荒井康行 ;
渡边康子 ;
守屋芳隆 .
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[5]
半导体器件 [P]. 
J·G·拉文 ;
H-J·舒尔策 ;
R·巴布斯克 .
中国专利 :CN107863380A ,2018-03-30
[6]
半导体器件 [P]. 
辻内干夫 ;
新田哲也 .
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[7]
半导体器件 [P]. 
山路将晴 .
中国专利 :CN105074922B ,2015-11-18
[8]
半导体器件 [P]. 
近松圣 ;
渡边寿郎 ;
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[9]
半导体器件和半导体衬底 [P]. 
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中川清和 ;
山中伸也 ;
宫尾正信 .
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[10]
半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P]. 
朱慧珑 ;
林红 .
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