半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410553520.5

申请日：

2014-10-17

公开(公告)号：

CN104576717A

公开(公告)日：

2015-04-29

发明(设计)人：

辻内干夫新田哲也

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101687374519 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:2014105535205 申请日:20141017
2019-05-17	授权	授权
2015-04-29	公开	公开
2015-10-28	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722654741 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:2014105535205 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

J·G·拉文 ;

H-J·舒尔策 ;

R·巴布斯克 .

中国专利 :CN107863380A ,2018-03-30

[2]

半导体器件 [P].

中村勝光 ;

楠茂 ;

中村秀城 .

中国专利 :CN1665034A ,2005-09-07

[3]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

清水二二男 ;

可知刚 ;

吉田芳规 .

中国专利 :CN112103288A ,2020-12-18

[4]

半导体器件和用于形成半导体器件的方法 [P].

J·G·拉文 ;

H-J·舒尔策 ;

R·巴布斯克 .

中国专利 :CN104518016A ,2015-04-15

[5]

半导体器件 [P].

鹰巢博昭 .

中国专利 :CN101271900A ,2008-09-24

[6]

半导体器件 [P].

小野瑞城 ;

石原贵光 .

中国专利 :CN1591903A ,2005-03-09

[7]

半导体器件 [P].

中柴康隆 .

中国专利 :CN101290935A ,2008-10-22

[8]

半导体器件 [P].

小松茂行 .

中国专利 :CN100589244C ,2008-12-17

[9]

半导体器件 [P].

椿茂树 .

中国专利 :CN1707809A ,2005-12-14

[10]

半导体器件 [P].

T·R·西米尼克 ;

D·拉福雷特 ;

C·阿尔斯塔特 ;

H·霍弗 .

:CN118782648A ,2024-10-15

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