陶瓷烧结体和等离子体处理装置用构件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980041646.5

申请日：

2019-06-27

公开(公告)号：

CN112334433A

公开(公告)日：

2021-02-05

发明(设计)人：

田中万平

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

C04B35505

IPC分类号：

C04B3544 H01L213065

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

吴克鹏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/505 申请日:20190627
2021-02-05	公开	公开

共 50 条

[1]

等离子体处理装置用构件及等离子体处理装置 [P].

石川和洋 ;

日野高志 ;

斋藤秀一 .

中国专利 :CN113728124A ,2021-11-30

[2]

氧化钇烧结体和等离子体处理装置用构件 [P].

冈本研 ;

荒堀忠久 .

中国专利 :CN102015577B ,2011-04-13

[3]

等离子体处理装置用构件和具备它的等离子体处理装置 [P].

石川和洋 ;

日野高志 ;

斋藤秀一 .

中国专利 :CN111699274A ,2020-09-22

[4]

等离子体处理装置用陶瓷 [P].

渡边敬祐 ;

村田征隆 ;

松本慎太郎 .

中国专利 :CN101671171A ,2010-03-17

[5]

等离子体处理装置 [P].

柴田哲司 ;

田口典幸 ;

中园佳幸 .

中国专利 :CN101632327A ,2010-01-20

[6]

等离子体处理方法和等离子体处理装置 [P].

菱沼隼 ;

广瀬久 .

中国专利 :CN111681956A ,2020-09-18

[7]

等离子体处理装置和等离子体处理方法 [P].

西野雅 ;

真壁正嗣 ;

长山将之 ;

半田达也 ;

绿川良太郎 ;

小林启悟 ;

仁矢铁也 .

中国专利 :CN103959447A ,2014-07-30

[8]

等离子体处理装置和等离子体处理方法 [P].

辻本宏 .

日本专利 :CN119856573A ,2025-04-18

[9]

等离子体处理装置和等离子体处理方法 [P].

松浦广行 .

中国专利 :CN110544613A ,2019-12-06

[10]

等离子体处理装置和等离子体处理方法 [P].

舆水地盐 ;

山泽阳平 .

中国专利 :CN102522304A ,2012-06-27

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