高速沉积优质本征微晶硅薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810053846.6

申请日：

2008-07-15

公开(公告)号：

CN101315958A

公开(公告)日：

2008-12-03

发明(设计)人：

耿新华韩晓艳侯国付张晓丹张德坤魏长春孙建赵颖薛俊明张建军

申请人：

申请人地址：

300071天津市南开区卫津路94号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L21205

代理机构：

天津佳盟知识产权代理有限公司

代理人：

侯力

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-01-20	授权	授权
2016-09-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101677706289 IPC(主分类):H01L 31/18 专利号:ZL2008100538466 申请日:20080715 授权公告日:20100120 终止日期:20150715
2009-01-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-12-03	公开	公开

共 50 条

[1]

高速沉积微晶硅太阳电池P/I界面的处理方法 [P].

耿新华 ;

韩晓艳 ;

张晓丹 ;

赵颖 ;

侯国付 ;

魏长春 ;

孙健 ;

张德坤 .

中国专利 :CN100487926C ,2008-04-09

[2]

改善单室沉积本征微晶硅薄膜质量的方法 [P].

张晓丹 ;

赵颖 ;

熊绍珍 ;

耿新华 .

中国专利 :CN101159296B ,2008-04-09

[3]

SnO2为衬底的微晶硅薄膜太阳电池用透明导电薄膜的制备方法 [P].

张晓丹 ;

赵颖 ;

熊绍珍 ;

耿新华 .

中国专利 :CN101159297B ,2008-04-09

[4]

一种改善高速沉积微晶硅材料中非晶孵化层的方法 [P].

张晓丹 ;

赵颖 ;

张鹤 ;

魏长春 ;

侯国付 ;

耿新华 ;

熊绍珍 .

中国专利 :CN101550544B ,2009-10-07

[5]

柔性基底微晶硅薄膜的快速、均匀制备方法 [P].

王金晓 ;

冯煜东 ;

王艺 ;

王志民 ;

赵慨 ;

速小梅 ;

王虎 .

中国专利 :CN102330067A ,2012-01-25

[6]

一种微晶硅薄膜的沉积方法 [P].

肖金泉 ;

赵彦辉 ;

崔连武 ;

华伟刚 ;

宫骏 ;

孙超 ;

黄荣芳 .

中国专利 :CN102296363A ,2011-12-28

[7]

一种多步生长法制备微晶硅薄膜的方法 [P].

杨志刚 .

中国专利 :CN102790133B ,2012-11-21

[8]

本征层为微晶硅锗薄膜的硅基薄膜太阳电池及其制备方法 [P].

张建军 ;

张丽平 ;

倪牮 ;

曹宇 ;

王先宝 ;

赵颖 ;

耿新华 .

中国专利 :CN101752435A ,2010-06-23

[9]

微晶硅薄膜制备装置 [P].

周颖 ;

赵东明 ;

李孟蕾 ;

肖平 ;

陈国军 ;

王玮 ;

刘杰 ;

杨斌 ;

汪海军 ;

陈雄飞 ;

王立闯 .

中国专利 :CN119530750A ,2025-02-28

[10]

一种以绒面单晶硅片为基底的含硅量子点薄膜材料的制备方法 [P].

姜礼华 ;

李辉 ;

谭新玉 ;

肖婷 ;

向鹏 .

中国专利 :CN104617185A ,2015-05-13

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