微晶硅薄膜制备装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411729387.4

申请日：

2024-11-28

公开(公告)号：

CN119530750A

公开(公告)日：

2025-02-28

发明(设计)人：

周颖赵东明李孟蕾肖平陈国军王玮刘杰杨斌汪海军陈雄飞王立闯

申请人：

华能（嘉峪关）新能源有限公司中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司

申请人地址：

735106 甘肃省嘉峪关市嘉东工业园区金港路1999号

IPC主分类号：

C23C16/24

IPC分类号：

C23C16/54 C23C16/02

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

张松磊

法律状态：

公开

国省代码：

北京市市辖区

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-28	公开	公开
2025-03-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/24申请日:20241128

共 50 条

[1]

制造微晶硅薄膜的方法 [P].

陈麒麟 ;

黄志仁 .

中国专利 :CN101237006A ,2008-08-06

[2]

一种制备微晶硅薄膜的方法 [P].

黄海宾 ;

刘翠翠 .

中国专利 :CN119980178A ,2025-05-13

[3]

微晶硅薄膜晶体管 [P].

元泰景 ;

崔寿永 ;

朴范洙 ;

任东吉 ;

陈志坚 .

中国专利 :CN101960563B ,2011-01-26

[4]

制备微晶硅的方法 [P].

黄金英 ;

付国柱 ;

荆海 ;

凌志华 .

中国专利 :CN1727526A ,2006-02-01

[5]

高速沉积优质本征微晶硅薄膜的制备方法 [P].

耿新华 ;

韩晓艳 ;

侯国付 ;

张晓丹 ;

张德坤 ;

魏长春 ;

孙建 ;

赵颖 ;

薛俊明 ;

张建军 .

中国专利 :CN101315958A ,2008-12-03

[6]

一种微晶硅薄膜的沉积方法 [P].

肖金泉 ;

赵彦辉 ;

崔连武 ;

华伟刚 ;

宫骏 ;

孙超 ;

黄荣芳 .

中国专利 :CN102296363A ,2011-12-28

[7]

用于微晶硅薄膜应力检测的应力施加装置 [P].

牛靖凯 ;

陈国军 ;

王玮 ;

刘杰 ;

汪海军 ;

杨博 ;

董伟 ;

赵东明 ;

李孟蕾 ;

王立闯 ;

杨斌 ;

周颖 ;

虞祥瑞 ;

陈传科 .

中国专利 :CN119290582A ,2025-01-10

[8]

微晶硅薄膜的制备方法、太阳能电池及其制备方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN120640810A ,2025-09-12

[9]

微晶硅薄膜的形成方法 [P].

李沅民 ;

马昕 .

中国专利 :CN101237005A ,2008-08-06

[10]

柔性基底微晶硅薄膜的快速、均匀制备方法 [P].

王金晓 ;

冯煜东 ;

王艺 ;

王志民 ;

赵慨 ;

速小梅 ;

王虎 .

中国专利 :CN102330067A ,2012-01-25

← 1 2 3 4 5 →