一种制备微晶硅薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510071171.1

申请日：

2025-01-16

公开(公告)号：

CN119980178A

公开(公告)日：

2025-05-13

发明(设计)人：

黄海宾刘翠翠

申请人：

江西汉可泛半导体技术有限公司

申请人地址：

332020 江西省九江市共青城市高新区火炬五路以北，科技二大道以东（汉可泛半导体智能装备制造产业园一期）厂房

IPC主分类号：

C23C16/24

IPC分类号：

C23C16/46

代理机构：

北京康隆律师事务所 16232

代理人：

吕爱霞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/24申请日:20250116
2025-05-13	公开	公开

共 50 条

[1]

一种制备掺氧微晶硅薄膜的方法及设备 [P].

黄海宾 ;

刘翠翠 .

中国专利 :CN120111987B ,2025-09-12

[2]

一种制备掺氧微晶硅薄膜的方法及设备 [P].

黄海宾 ;

刘翠翠 .

中国专利 :CN120111987A ,2025-06-06

[3]

制造微晶硅薄膜的方法 [P].

陈麒麟 ;

黄志仁 .

中国专利 :CN101237006A ,2008-08-06

[4]

微晶硅薄膜制备装置 [P].

周颖 ;

赵东明 ;

李孟蕾 ;

肖平 ;

陈国军 ;

王玮 ;

刘杰 ;

杨斌 ;

汪海军 ;

陈雄飞 ;

王立闯 .

中国专利 :CN119530750A ,2025-02-28

[5]

一种多步生长法制备微晶硅薄膜的方法 [P].

杨志刚 .

中国专利 :CN102790133B ,2012-11-21

[6]

一种微晶硅薄膜的沉积方法 [P].

肖金泉 ;

赵彦辉 ;

崔连武 ;

华伟刚 ;

宫骏 ;

孙超 ;

黄荣芳 .

中国专利 :CN102296363A ,2011-12-28

[7]

制备微晶硅的方法 [P].

黄金英 ;

付国柱 ;

荆海 ;

凌志华 .

中国专利 :CN1727526A ,2006-02-01

[8]

柔性基底微晶硅薄膜的快速、均匀制备方法 [P].

王金晓 ;

冯煜东 ;

王艺 ;

王志民 ;

赵慨 ;

速小梅 ;

王虎 .

中国专利 :CN102330067A ,2012-01-25

[9]

一种两步生长制备无孵化层微晶硅薄膜的方法 [P].

吴爱民 ;

岳红云 ;

李廷举 ;

林国强 ;

谭毅 .

中国专利 :CN102492933A ,2012-06-13

[10]

一种耐高温柔性衬底微晶硅薄膜的制备方法 [P].

黄莹 .

中国专利 :CN105895736B ,2016-08-24

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