改善单室沉积本征微晶硅薄膜质量的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710150230.6

申请日：

2007-11-19

公开(公告)号：

CN101159296B

公开(公告)日：

2008-04-09

发明(设计)人：

张晓丹赵颖熊绍珍耿新华

申请人：

申请人地址：

300071 天津市南开区卫津路94号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

代理机构：

天津佳盟知识产权代理有限公司 12002

代理人：

廖晓荣

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-08	授权	授权
2018-01-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20071119 授权公告日:20100908 终止日期:20161119
2008-04-09	公开	公开
2008-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

高速沉积优质本征微晶硅薄膜的制备方法 [P].

耿新华 ;

韩晓艳 ;

侯国付 ;

张晓丹 ;

张德坤 ;

魏长春 ;

孙建 ;

赵颖 ;

薛俊明 ;

张建军 .

中国专利 :CN101315958A ,2008-12-03

[2]

一种改善高速沉积微晶硅材料中非晶孵化层的方法 [P].

张晓丹 ;

赵颖 ;

张鹤 ;

魏长春 ;

侯国付 ;

耿新华 ;

熊绍珍 .

中国专利 :CN101550544B ,2009-10-07

[3]

制造微晶硅薄膜的方法 [P].

陈麒麟 ;

黄志仁 .

中国专利 :CN101237006A ,2008-08-06

[4]

一种微晶硅薄膜的沉积方法 [P].

肖金泉 ;

赵彦辉 ;

崔连武 ;

华伟刚 ;

宫骏 ;

孙超 ;

黄荣芳 .

中国专利 :CN102296363A ,2011-12-28

[5]

本征层为微晶硅锗薄膜的硅基薄膜太阳电池及其制备方法 [P].

张建军 ;

张丽平 ;

倪牮 ;

曹宇 ;

王先宝 ;

赵颖 ;

耿新华 .

中国专利 :CN101752435A ,2010-06-23

[6]

柔性基底微晶硅薄膜的快速、均匀制备方法 [P].

王金晓 ;

冯煜东 ;

王艺 ;

王志民 ;

赵慨 ;

速小梅 ;

王虎 .

中国专利 :CN102330067A ,2012-01-25

[7]

用锡诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法 [P].

孙杰 ;

史伟民 .

中国专利 :CN102243991A ,2011-11-16

[8]

微晶硅薄膜的形成方法 [P].

李沅民 ;

马昕 .

中国专利 :CN101237005A ,2008-08-06

[9]

一种制备微晶硅薄膜的方法 [P].

黄海宾 ;

刘翠翠 .

中国专利 :CN119980178A ,2025-05-13

[10]

微晶硅薄膜探测器制备方法及其应用 [P].

邱承彬 ;

王晓煜 ;

刘琳 .

中国专利 :CN102751302A ,2012-10-24

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