基于干法刻蚀和湿法腐蚀工艺制备硅纳米结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610040806.9

申请日：

2006-07-25

公开(公告)号：

CN100591614C

公开(公告)日：

2007-09-26

发明(设计)人：

施毅陈杰智濮林郑有炓龙世兵刘明

申请人：

申请人地址：

210093江苏省南京市汉口路22号

IPC主分类号：

B82B300

IPC分类号：

代理机构：

南京天翼专利代理有限责任公司

代理人：

汤志武;王鹏翔

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-09-26	公开	公开
2011-09-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101111522469 IPC(主分类):B82B 3/00 专利号:ZL2006100408069 申请日:20060725 授权公告日:20100224 终止日期:20100725
2007-11-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-02-24	授权	授权

共 50 条

[1]

硅的干法刻蚀方法 [P].

张振兴 ;

奚裴 .

中国专利 :CN102347232A ,2012-02-08

[2]

干法刻蚀工艺方法 [P].

赵博超 .

中国专利 :CN112103167A ,2020-12-18

[3]

一种基于干法刻蚀工艺的纳米压印模板制备方法 [P].

李其凡 ;

史晓华 ;

徐明金 .

中国专利 :CN115542661A ,2022-12-30

[4]

干法刻蚀工艺的优化方法 [P].

请求不公布姓名 ;

朱忻 .

中国专利 :CN118866675A ,2024-10-29

[5]

干法刻蚀射频放电增强方法和干法刻蚀设备 [P].

张杰 .

中国专利 :CN113394091A ,2021-09-14

[6]

用于干法刻蚀设备的电极及其制备方法、干法刻蚀设备 [P].

陈程 ;

吕艳明 .

中国专利 :CN104332380A ,2015-02-04

[7]

铝线干法刻蚀后湿法清洗方法 [P].

林楠 ;

赵晓亮 .

中国专利 :CN107706089B ,2018-02-16

[8]

干法刻蚀装置和方法 [P].

高国浩 .

中国专利 :CN115410893A ,2022-11-29

[9]

采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法 [P].

王新中 ;

于广辉 ;

雷本亮 ;

林朝通 ;

王笑龙 ;

齐鸣 .

中国专利 :CN101229912A ,2008-07-30

[10]

一种湿法腐蚀与干法刻蚀相结合图形化蓝宝石的方法 [P].

张建宝 ;

顾小云 .

中国专利 :CN102184842B ,2011-09-14

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