半导体基片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98109689.1

申请日：

1998-03-26

公开(公告)号：

CN1206221A

公开(公告)日：

1999-01-27

发明(设计)人：

坂口清文佐藤信彦

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2712

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

龙传红

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-02-25	授权	授权
1999-01-06	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1999-01-27	公开	公开
2010-08-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101004440689 IPC(主分类):H01L 21/00 专利号:ZL981096891 申请日:19980326 授权公告日:20040225

共 50 条

[1]

半导体基片及其制造方法 [P].

佐藤信彦 .

中国专利 :CN1250945A ,2000-04-19

[2]

半导体基片及其制造方法 [P].

约瑟夫·布伦纳 ;

出合博之 ;

碇敦 ;

马丁·格拉斯尔 ;

松村笃树 ;

维尔弗里德·冯·阿蒙 .

中国专利 :CN1638133A ,2005-07-13

[3]

半导体基片及其制造方法 [P].

坂口清文 ;

米原隆夫 .

中国专利 :CN1152187A ,1997-06-18

[4]

半导体基片和半导体器件及其制造方法 [P].

内海胜喜 ;

隈川隆博 .

中国专利 :CN101521208A ,2009-09-02

[5]

半导体基片及其制作方法 [P].

堀川贡弘 ;

渡边匡人 .

中国专利 :CN1200559A ,1998-12-02

[6]

半导体基片 [P].

浅井正人 .

中国专利 :CN85201474U ,1986-02-26

[7]

半导体基片 [P].

浅井正人 .

中国专利 :CN85101284A ,1987-01-17

[8]

半导体基片加工方法 [P].

周洋 .

中国专利 :CN101728230A ,2010-06-09

[9]

半导体基片的加工方法 [P].

许杨 ;

杨超 .

中国专利 :CN112713085A ,2021-04-27

[10]

半导体基片和制造半导体器件的方法 [P].

浜田健彦 ;

浜田昌幸 .

中国专利 :CN1190790A ,1998-08-19

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