半导体基片及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN96112122.X

申请日：

1996-08-01

公开(公告)号：

CN1152187A

公开(公告)日：

1997-06-18

发明(设计)人：

坂口清文米原隆夫

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1997-05-21	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2002-04-10	授权	授权
2016-09-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101679162349 IPC(主分类):H01L 21/02 专利号:ZL96112122X 申请日:19960801 授权公告日:20020410 终止日期:20150801
1997-06-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体基片及其制造方法 [P].

佐藤信彦 .

中国专利 :CN1250945A ,2000-04-19

[2]

半导体基片及其制造方法 [P].

约瑟夫·布伦纳 ;

出合博之 ;

碇敦 ;

马丁·格拉斯尔 ;

松村笃树 ;

维尔弗里德·冯·阿蒙 .

中国专利 :CN1638133A ,2005-07-13

[3]

半导体基片和半导体器件及其制造方法 [P].

内海胜喜 ;

隈川隆博 .

中国专利 :CN101521208A ,2009-09-02

[4]

半导体基片和制造半导体器件的方法 [P].

浜田健彦 ;

浜田昌幸 .

中国专利 :CN1190790A ,1998-08-19

[5]

混合半导体基片的制造方法 [P].

康斯坦丁·布德尔 ;

比什-因·阮 ;

玛丽亚姆·萨达卡 .

中国专利 :CN101894741B ,2010-11-24

[6]

半导体基片的制造工艺方法 [P].

刘鹏 ;

肖胜安 .

中国专利 :CN103811413B ,2014-05-21

[7]

半导体基片及其制备方法 [P].

坂口清文 ;

佐藤信彦 .

中国专利 :CN1206221A ,1999-01-27

[8]

半导体衬底及其制造方法，以及半导体器件及其制造方法 [P].

高桥英树 ;

金田充 .

中国专利 :CN1485927A ,2004-03-31

[9]

制造半导体基片的装置 [P].

李光武 .

中国专利 :CN205576257U ,2016-09-14

[10]

半导体基片制造方法、半导体基片、电光学装置及电子设备 [P].

山崎泰志 .

中国专利 :CN1207777C ,2003-03-19

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