制造半导体基片的装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620213362.3

申请日：

2016-03-18

公开(公告)号：

CN205576257U

公开(公告)日：

2016-09-14

发明(设计)人：

李光武

申请人：

申请人地址：

100016 北京市朝阳区东四环北路6号阳光上东5号楼2单元1101室

IPC主分类号：

C23C412

IPC分类号：

C23C4123 C23C404

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

陶敏;黄健

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 4/12 申请日:20160318 授权公告日:20160914 终止日期:20190318
2016-09-14	授权	授权

共 50 条

[1]

制造半导体基片的方法和装置 [P].

李光武 .

中国专利 :CN105671474B ,2016-06-15

[2]

半导体基片 [P].

浅井正人 .

中国专利 :CN85201474U ,1986-02-26

[3]

半导体基片和制造半导体器件的方法 [P].

浜田健彦 ;

浜田昌幸 .

中国专利 :CN1190790A ,1998-08-19

[4]

混合半导体基片的制造方法 [P].

康斯坦丁·布德尔 ;

比什-因·阮 ;

玛丽亚姆·萨达卡 .

中国专利 :CN101894741B ,2010-11-24

[5]

半导体基片的制造工艺方法 [P].

刘鹏 ;

肖胜安 .

中国专利 :CN103811413B ,2014-05-21

[6]

半导体基片及其制造方法 [P].

佐藤信彦 .

中国专利 :CN1250945A ,2000-04-19

[7]

半导体基片及其制造方法 [P].

约瑟夫·布伦纳 ;

出合博之 ;

碇敦 ;

马丁·格拉斯尔 ;

松村笃树 ;

维尔弗里德·冯·阿蒙 .

中国专利 :CN1638133A ,2005-07-13

[8]

半导体基片及其制造方法 [P].

坂口清文 ;

米原隆夫 .

中国专利 :CN1152187A ,1997-06-18

[9]

半导体基片制造方法、半导体基片、电光学装置及电子设备 [P].

山崎泰志 .

中国专利 :CN1207777C ,2003-03-19

[10]

半导体基片和半导体器件及其制造方法 [P].

内海胜喜 ;

隈川隆博 .

中国专利 :CN101521208A ,2009-09-02

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