制造半导体基片的方法和装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610158724.8

申请日：

2016-03-18

公开(公告)号：

CN105671474B

公开(公告)日：

2016-06-15

发明(设计)人：

李光武

申请人：

申请人地址：

100016 北京市朝阳区东四环北路6号阳光上东5号楼2单元1101室

IPC主分类号：

C23C412

IPC分类号：

C23C404

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

陶敏;黄健

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-15	公开	公开
2016-07-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101669703825 IPC(主分类):C23C 4/12 专利申请号:2016101587248 申请日:20160318
2018-11-30	授权	授权

共 50 条

[1]

制造半导体基片的装置 [P].

李光武 .

中国专利 :CN205576257U ,2016-09-14

[2]

半导体基片和制造半导体器件的方法 [P].

浜田健彦 ;

浜田昌幸 .

中国专利 :CN1190790A ,1998-08-19

[3]

半导体基片和半导体器件及其制造方法 [P].

内海胜喜 ;

隈川隆博 .

中国专利 :CN101521208A ,2009-09-02

[4]

混合半导体基片的制造方法 [P].

康斯坦丁·布德尔 ;

比什-因·阮 ;

玛丽亚姆·萨达卡 .

中国专利 :CN101894741B ,2010-11-24

[5]

半导体基片的制造工艺方法 [P].

刘鹏 ;

肖胜安 .

中国专利 :CN103811413B ,2014-05-21

[6]

半导体基片及其制造方法 [P].

佐藤信彦 .

中国专利 :CN1250945A ,2000-04-19

[7]

半导体基片及其制造方法 [P].

约瑟夫·布伦纳 ;

出合博之 ;

碇敦 ;

马丁·格拉斯尔 ;

松村笃树 ;

维尔弗里德·冯·阿蒙 .

中国专利 :CN1638133A ,2005-07-13

[8]

半导体基片及其制造方法 [P].

坂口清文 ;

米原隆夫 .

中国专利 :CN1152187A ,1997-06-18

[9]

半导体基片和薄膜半导体部件及它们的制造方法 [P].

田舎中博士 .

中国专利 :CN1153259C ,1999-06-30

[10]

清洁半导体基片的方法和装置 [P].

埃里克·M·弗里尔 ;

弗雷德·C·雷德克 ;

卡特里娜·米哈利钦科 ;

迈克尔·拉夫金 ;

米哈伊尔·科罗利克 .

中国专利 :CN101389414A ,2009-03-18

← 1 2 3 4 5 →