半导体基片和薄膜半导体部件及它们的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98126341.0

申请日：

1998-12-25

公开(公告)号：

CN1153259C

公开(公告)日：

1999-06-30

发明(设计)人：

田舎中博士

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L21306

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101703158778 IPC(主分类):H01L 21/00 专利号:ZL981263410 申请日:19981225 授权公告日:20040609 终止日期:20151225
2001-04-04	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1999-06-30	公开	公开
2004-06-09	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体基片和制造半导体器件的方法 [P].

浜田健彦 ;

浜田昌幸 .

中国专利 :CN1190790A ,1998-08-19

[2]

半导体基板和半导体装置及它们的制造方法 [P].

前川拓滋 ;

森本满 .

中国专利 :CN114245932A ,2022-03-25

[3]

半导体基片和半导体器件及其制造方法 [P].

内海胜喜 ;

隈川隆博 .

中国专利 :CN101521208A ,2009-09-02

[4]

制造半导体部件的方法和半导体部件 [P].

V·莱曼 ;

A·舒伯特 .

中国专利 :CN1395314A ,2003-02-05

[5]

半导体部件和制造半导体部件的方法 [P].

奥利弗·黑贝伦 ;

杰拉尔德·拉克纳 ;

安东·毛德 .

中国专利 :CN102790017A ,2012-11-21

[6]

薄膜半导体装置和制造薄膜半导体装置的方法 [P].

町田晓夫 ;

藤野敏夫 ;

河野正洋 .

中国专利 :CN101038938A ,2007-09-19

[7]

制造半导体基片的方法和装置 [P].

李光武 .

中国专利 :CN105671474B ,2016-06-15

[8]

用于制造薄膜半导体本体的方法和薄膜半导体本体 [P].

克里斯蒂安·莱雷尔 ;

安东·沃格尔 ;

安德烈亚斯·比贝尔斯多夫 ;

赖纳·布滕戴奇 ;

克里斯蒂安·鲁姆博尔茨 .

中国专利 :CN103403839B ,2013-11-20

[9]

薄膜半导体装置和该薄膜半导体装置的制造方法 [P].

町田晓夫 ;

藤野敏夫 ;

河野正洋 .

中国专利 :CN101150057B ,2008-03-26

[10]

半导体装置的制造方法、半导体装置及半导体部件 [P].

豊岛刚树 ;

竹越正明 ;

畠山惠一 .

日本专利 :CN121039804A ,2025-11-28

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