半导体基片制造方法、半导体基片、电光学装置及电子设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02130121.2

申请日：

2002-08-22

公开(公告)号：

CN1207777C

公开(公告)日：

2003-03-19

发明(设计)人：

山崎泰志

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2184

IPC分类号：

H01L2100 H01L2712

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

马铁良;王忠忠

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-06-22	授权	授权
2003-03-19	公开	公开
2020-08-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/84 申请日:20020822 授权公告日:20050622 终止日期:20190822
2003-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体基片 [P].

浅井正人 .

中国专利 :CN85201474U ,1986-02-26

[2]

半导体基片 [P].

浅井正人 .

中国专利 :CN85101284A ,1987-01-17

[3]

半导体基片及其制造方法 [P].

佐藤信彦 .

中国专利 :CN1250945A ,2000-04-19

[4]

半导体基片及其制造方法 [P].

约瑟夫·布伦纳 ;

出合博之 ;

碇敦 ;

马丁·格拉斯尔 ;

松村笃树 ;

维尔弗里德·冯·阿蒙 .

中国专利 :CN1638133A ,2005-07-13

[5]

制造半导体基片的装置 [P].

李光武 .

中国专利 :CN205576257U ,2016-09-14

[6]

半导体基片及其制造方法 [P].

坂口清文 ;

米原隆夫 .

中国专利 :CN1152187A ,1997-06-18

[7]

半导体基片和半导体器件及其制造方法 [P].

内海胜喜 ;

隈川隆博 .

中国专利 :CN101521208A ,2009-09-02

[8]

半导体基片和制造半导体器件的方法 [P].

浜田健彦 ;

浜田昌幸 .

中国专利 :CN1190790A ,1998-08-19

[9]

半导体基片加工方法 [P].

周洋 .

中国专利 :CN101728230A ,2010-06-09

[10]

混合半导体基片的制造方法 [P].

康斯坦丁·布德尔 ;

比什-因·阮 ;

玛丽亚姆·萨达卡 .

中国专利 :CN101894741B ,2010-11-24

← 1 2 3 4 5 →