MOCVD生长氮化镓晶片的尾气处理、回收和循环使用装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220587833.9

申请日：

2012-11-09

公开(公告)号：

CN203150595U

公开(公告)日：

2013-08-21

发明(设计)人：

吴纳新

申请人：

申请人地址：

313028 浙江省湖州市八里店镇吴兴科技创业园C幢305室

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

C23C1634 C23C1644

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-24	文件的公告送达	文件的公告送达 IPC(主分类):H01L 33/00 收件人:吴纳新文件名称:专利权终止通知书
2013-08-21	授权	授权
2022-02-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20121109 授权公告日:20130821 终止日期:20201109

共 50 条

[1]

晶片导向器,MOCVD装置和氮化物半导体生长方法 [P].

上野昌纪 ;

吉本晋 ;

松叶聪 .

中国专利 :CN1782142A ,2006-06-07

[2]

基于氮化镓的外延晶片和制造基于氮化镓的半导体发光器件的方法 [P].

善积祐介 ;

上野昌纪 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN101647091B ,2010-02-10

[3]

氮化镓晶体生长方法、氮化镓晶体衬底、外延晶片制造方法和外延晶片 [P].

藤田俊介 .

中国专利 :CN101353819A ,2009-01-28

[4]

氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶 [P].

岩井真 ;

今井克宏 ;

今枝美能留 .

中国专利 :CN1938457B ,2007-03-28

[5]

生长氮化镓晶体的方法和制造氮化镓衬底的方法 [P].

竹山知阳 .

中国专利 :CN101918625A ,2010-12-15

[6]

用于生长氮化镓的基片和制备氮化镓基片的方法 [P].

秋田胜史 ;

冈久拓司 .

中国专利 :CN100352004C ,2004-09-29

[7]

生长氮化镓晶体的方法和制造氮化镓晶体的方法 [P].

竹山知阳 .

中国专利 :CN102239283A ,2011-11-09

[8]

防止MOCVD生产氮化镓的氨气回收膜组件堵塞的装置 [P].

王俊川 .

中国专利 :CN203447995U ,2014-02-26

[9]

氮化镓系结晶的生长方法和热处理装置 [P].

梅泽好太 ;

渡边要介 .

中国专利 :CN104821348A ,2015-08-05

[10]

结晶氮化镓以及相关的晶片和器件 [P].

马克·P·德维林 ;

朴东实 ;

史蒂文·F·勒波伊夫 ;

拉里·B·劳兰德 ;

克里斯蒂·J·纳兰 ;

洪慧聪 ;

斯蒂芬·D·阿瑟 ;

彼得·M·桑德维克 .

中国专利 :CN101641463A ,2010-02-03

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