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半导体元件的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910354383.5
申请日：
2019-04-29
公开(公告)号：
CN110783194A
公开(公告)日：
2020-02-11
发明(设计)人：
黄耀陞
孙宏彰
张毅敏
方子韦
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L2978
H01L218234
代理机构：
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006
代理人：
徐金国
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-02-11 | 公开 | 公开 |
| 2022-01-07 | 发明专利申请公布后的视为撤回 | 发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20200211 |