氮化物结晶的制造方法、氮化物结晶及其制造装置

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专利类型
发明
申请号
CN201080004166.0
申请日
2010-01-07
公开(公告)号
CN102272357A
公开(公告)日
2011-12-07
发明(设计)人
三川丰 清见真纪子 镜谷勇二 石黑彻
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
C30B906
IPC分类号
B01J300 C30B710 C30B714
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
苗堃;金世煜
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
Ⅲ族氮化物结晶的制造方法、Ⅲ族氮化物结晶的制造装置及Ⅲ族氮化物结晶 [P]. 
皿山正二 ;
岩田浩和 ;
布施晃广 .
中国专利 :CN101175875A ,2008-05-07
[2]
氮化物结晶的制造方法 [P]. 
藤泽英夫 ;
三川丰 ;
镰田和典 .
中国专利 :CN103443337A ,2013-12-11
[3]
Ⅲ族元素氮化物结晶制造装置以及Ⅲ族元素氮化物结晶制造方法 [P]. 
森勇介 ;
峯本尚 ;
北冈康夫 ;
木户口勋 ;
川村史朗 ;
佐佐木孝友 ;
梅田英和 ;
高桥康仁 .
中国专利 :CN100535200C ,2007-03-14
[4]
氮化物结晶的制造方法 [P]. 
今井克宏 ;
岩井真 ;
坂井正宏 ;
下平孝直 ;
东原周平 ;
平尾崇行 .
中国专利 :CN106068340A ,2016-11-02
[5]
III族氮化物结晶的制造方法及III族氮化物结晶制造装置 [P]. 
森勇介 ;
吉村政志 ;
今出完 ;
伊势村雅士 ;
冈山芳央 .
中国专利 :CN106460228A ,2017-02-22
[6]
III族氮化物结晶的制造方法和III族氮化物结晶 [P]. 
松本创 ;
洲崎训任 ;
藤户健史 ;
长尾哲 .
中国专利 :CN103502514A ,2014-01-08
[7]
III族氮化物结晶的制造方法 [P]. 
森勇介 ;
今西正幸 ;
冈本贵敏 .
日本专利 :CN110468455B ,2024-07-23
[8]
III族氮化物结晶的制造方法 [P]. 
森勇介 ;
今西正幸 ;
冈本贵敏 .
中国专利 :CN110468455A ,2019-11-19
[9]
Ⅲ族氮化物结晶的制造方法以及制造装置 [P]. 
岩田浩和 ;
皿山正二 ;
福田实 ;
高桥哲也 ;
高桥彰 .
中国专利 :CN1954101A ,2007-04-25
[10]
氮化物结晶的制造方法、制造容器和构件 [P]. 
三川丰 ;
清见真纪子 ;
镜谷勇二 ;
石黑彻 ;
山村美彦 .
中国专利 :CN102695823A ,2012-09-26