氮化钛硅势垒层

被引：0

申请号：

CN202080081318.0

申请日：

2020-09-14

公开(公告)号：

CN114747033A

公开(公告)日：

2022-07-12

发明(设计)人：

许在锡 J·麦克 S·J·拉蒂 N·慕克吉

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

顾晨昕

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20200914
2022-07-12	公开	公开

共 50 条

[1]

含有钛、硅及氮的多区域扩散势垒 [P].

V·V·瓦塔斯 ;

M·Z·卡里姆 ;

崔普善 ;

S·J·拉蒂 ;

N·慕克吉 .

中国专利 :CN110800083A ,2020-02-14

[2]

隧道势垒肖特基 [P].

楚荣明 ;

曹宇 ;

李子健 ;

亚当·J·威廉斯 .

中国专利 :CN108028285A ,2018-05-11

[3]

具有肖特基势垒控制层的MOS器件 [P].

A·巴哈拉 ;

王晓彬 ;

潘继 ;

S-P·魏 .

中国专利 :CN101465375B ,2009-06-24

[4]

以氮化铝为势垒层的Mo基金属栅叠层结构的刻蚀方法 [P].

李永亮 ;

徐秋霞 .

中国专利 :CN102237269A ,2011-11-09

[5]

肖特基势垒器件 [P].

梁维佳 ;

李静怡 ;

周源 .

中国专利 :CN216435912U ,2022-05-03

[6]

钛和氮化钛的叠层的刻蚀压力确定方法 [P].

何鹏飞 ;

杨啸 .

中国专利 :CN119943702A ,2025-05-06

[7]

肖特基势垒集成电路 [P].

J·P·斯奈德 ;

J·M·拉森 .

中国专利 :CN1871707A ,2006-11-29

[8]

结势垒肖特基器件和结势垒肖特基装置 [P].

S·拉斯库纳 ;

G·贝洛基 ;

M·桑托罗 .

中国专利 :CN217405436U ,2022-09-09

[9]

势垒调制晶体管 [P].

T.哈夫达拉 ;

D.利维 ;

D.本-巴萨特 ;

M.泽哈维 ;

B.R.冈伯格 .

中国专利 :CN115547959A ,2022-12-30

[10]

界面势垒测量装置及测量界面势垒的方法 [P].

樊英民 ;

钟海舰 ;

徐耿钊 ;

刘争晖 ;

曾雄辉 ;

周桃飞 ;

邱永鑫 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN102520213A ,2012-06-27

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