一种基于自旋霍尔磁电阻效应的忆阻器的实现方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410264504.4

申请日：

2014-06-13

公开(公告)号：

CN104009155B

公开(公告)日：

2014-08-27

发明(设计)人：

宋成憨家豪潘峰

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室

IPC主分类号：

H01L4314

IPC分类号：

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司 11245

代理人：

徐宁;孙楠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-09-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587087213 IPC(主分类):H01L 43/14 专利申请号:2014102645044 申请日:20140613
2016-08-24	授权	授权
2014-08-27	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于自旋霍尔效应的磁随机存储器 [P].

闵泰 ;

何岳巍 .

中国专利 :CN107658382A ,2018-02-02

[2]

一种用于测量自旋霍尔磁电阻的样品杆 [P].

周鹏 ;

王钰锋 ;

祁亚军 ;

章天金 .

中国专利 :CN117849678A ,2024-04-09

[3]

基于多层磁电效应感应忆阻器的存储器阵列集成电路 [P].

张怀武 ;

唐鑫 ;

路鹏飞 ;

邹奥 .

中国专利 :CN119698235A ,2025-03-25

[4]

一种基于ScAlN的氮化物自旋场效应忆阻器及其制备方法 [P].

唐宁 ;

陈帅宇 ;

孙真昊 ;

郭富强 ;

李国平 ;

沈波 .

中国专利 :CN119156124A ,2024-12-17

[5]

一种基于ScAlN的氮化物自旋场效应忆阻器及其制备方法 [P].

唐宁 ;

陈帅宇 ;

孙真昊 ;

郭富强 ;

李国平 ;

沈波 .

中国专利 :CN119156124B ,2025-02-14

[6]

一种基于离子扩散和相变机制实现忆阻器忆阻的方法 [P].

吴劲松 ;

郭安安 ;

白辉 ;

罗豪 .

中国专利 :CN115275004B ,2025-09-26

[7]

一种基于忆阻器的图像降噪实现方法 [P].

刘钢 .

中国专利 :CN114596896A ,2022-06-07

[8]

一种基于忆阻器的STDP、BCPNN实现方法 [P].

李枫 ;

邹卓 ;

王德豫 ;

徐佳唯 ;

张廉豪 ;

郑立荣 .

中国专利 :CN114065633A ,2022-02-18

[9]

一种忆阻耦合电容效应高性能忆阻器的制备方法 [P].

杨峰 ;

任焕鑫 ;

孙柏 ;

赵勇 ;

张勇 .

中国专利 :CN113314668B ,2021-08-27

[10]

一种忆阻器及基于该忆阻器实现二值布尔逻辑的方法 [P].

王璐 ;

左泽 ;

张夏凡 ;

温殿忠 .

中国专利 :CN119545809A ,2025-02-28

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