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半导体器件及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010116555.8
申请日
:
2020-02-25
公开(公告)号
:
CN113380885A
公开(公告)日
:
2021-09-10
发明(设计)人
:
穆克军
申请人
:
申请人地址
:
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
:
H01L2978
IPC分类号
:
H01L29417
H01L21336
代理机构
:
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
:
汪洁丽
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-09-10
公开
公开
2021-09-28
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20200225
共 50 条
[1]
半导体器件及其制备方法
[P].
宋富冉
论文数:
0
引用数:
0
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0
宋富冉
;
周儒领
论文数:
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周儒领
;
韩飘飘
论文数:
0
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0
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韩飘飘
;
伯秀秀
论文数:
0
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0
伯秀秀
;
晋华东
论文数:
0
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0
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晋华东
.
中国专利
:CN115394844A
,2022-11-25
[2]
半导体结构及其制备方法、半导体器件
[P].
廖学海
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0
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0
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机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
廖学海
;
明玉坤
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机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
明玉坤
;
邹鹏
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0
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0
机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
邹鹏
.
中国专利
:CN121099680A
,2025-12-09
[3]
半导体结构及其制备方法、半导体器件
[P].
廖学海
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机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
廖学海
;
明玉坤
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机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
明玉坤
;
邹鹏
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机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
邹鹏
.
中国专利
:CN121078782A
,2025-12-05
[4]
半导体器件及其制备方法
[P].
于绍欣
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于绍欣
.
中国专利
:CN113903792A
,2022-01-07
[5]
半导体器件及其制备方法
[P].
赵正元
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
赵正元
;
郭海亮
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
郭海亮
;
赵志
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
赵志
;
张称
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
张称
;
侯冰霞
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
侯冰霞
;
汪健
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0
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
汪健
;
王玉新
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0
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
王玉新
.
中国专利
:CN120299994A
,2025-07-11
[6]
半导体器件及其制备方法
[P].
邱立军
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
邱立军
;
卫乐平
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
卫乐平
;
王丽
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
王丽
;
马栋
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
马栋
;
张继亮
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
张继亮
.
中国专利
:CN119947158A
,2025-05-06
[7]
半导体器件及其制备方法
[P].
雷挺
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机构:
武汉新芯集成电路股份有限公司
武汉新芯集成电路股份有限公司
雷挺
;
耿武千
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机构:
武汉新芯集成电路股份有限公司
武汉新芯集成电路股份有限公司
耿武千
;
李培权
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机构:
武汉新芯集成电路股份有限公司
武汉新芯集成电路股份有限公司
李培权
.
中国专利
:CN119626895A
,2025-03-14
[8]
半导体器件及其制备方法
[P].
冯秦旭
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冯秦旭
;
宋欢欢
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宋欢欢
;
梁金娥
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梁金娥
;
刘长振
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刘长振
.
中国专利
:CN114023690A
,2022-02-08
[9]
半导体器件及其制备方法
[P].
童宇诚
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童宇诚
;
张钦福
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张钦福
.
中国专利
:CN112436007A
,2021-03-02
[10]
半导体器件及其制备方法
[P].
兰总金
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机构:
杭州富芯半导体有限公司
杭州富芯半导体有限公司
兰总金
;
李秀柱
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机构:
杭州富芯半导体有限公司
杭州富芯半导体有限公司
李秀柱
;
陈国帅
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机构:
杭州富芯半导体有限公司
杭州富芯半导体有限公司
陈国帅
.
中国专利
:CN120769519A
,2025-10-10
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