一种半导体硅表面清洗方法

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专利类型
发明
申请号
CN89106866.X
申请日
1989-12-02
公开(公告)号
CN1052220A
公开(公告)日
1991-06-12
发明(设计)人
孙启基 丁永发 戴群 陈子俊
申请人
申请人地址
261041山东省潍坊市东风大街43号
IPC主分类号
H01L2102
IPC分类号
H01L2130
代理机构
代理人
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种半导体单晶硅清洗剂及其清洗方法 [P]. 
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[2]
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骆祖文 .
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[3]
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仲跻和 ;
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周云昌 ;
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[4]
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[5]
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[6]
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王晓亮 ;
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[7]
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[8]
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[9]
一种半导体表面清洗剂及其制备方法 [P]. 
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[10]
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